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公开(公告)号：CN100334692C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200310103697.7
申请日：2003-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/00
CPC classification number: F16K1/223 , C23C16/4412 , Y10T137/0396 , Y10T137/86944 , Y10T137/87378 , Y10T137/87523
Abstract: 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一阀门和至少一个第二阀门，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一阀门的反应时间比第二阀门的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一阀门提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二阀门对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。
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公开(公告)号：CN1305115C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN02144250.9
申请日：2002-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 一种利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测装置、复合控制器、中央控制装置及输送装置。操作时，利用所述中央控制装置实时比较所述流体计测装置的研浆流量测量值与流量设定值之间的差值，以选用所述复合控制器的闭回路控制法或开回路控制法，使所述输送装置准确地控制研浆的流量输出。
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公开(公告)号：CN1234160C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03106005.6
申请日：2003-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/304 , B24B57/00
CPC classification number: F04B49/20 , F04B2205/09
Abstract: 一种具有气泡消除装置的监测系统，该监测系统包括输送装置、气泡消除装置、流量计装置及中央控制装置。利用中央控制装置控制气泡消除装置的操作，以排除来自输送装置中研浆的气泡，使监测系统的研浆流速趋于稳定。并进一步利用具有稳定流速的研浆，有效维持研浆中研磨剂的混合比例，而大幅降低混合比例的变动量。
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公开(公告)号：CN1487576A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03106005.6
申请日：2003-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/304 , B24B57/00
CPC classification number: F04B49/20 , F04B2205/09
Abstract: 一种具有气泡消除装置的监测系统，该监测系统包括输送装置、气泡消除装置、流量计装置及中央控制装置。利用中央控制装置控制气泡消除装置的操作，以排除来自输送装置中研浆的气泡，使监测系统的研浆流速趋于稳定。并进一步利用具有稳定流速的研浆，有效维持研浆中研磨剂的混合比例，而大幅降低混合比例的变动量。
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公开(公告)号：CN100372095C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510088732.1
申请日：2005-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种冷却装置，用以控制一静电承载座上的一半导体晶圆的温度。上述冷却装置包括一多孔隙流动层、一多孔隙接触层、一多孔隙热交换层、一入口端、一出口端以及循环装置。前述多孔隙热交换层设置于多孔隙流动层与多孔隙接触层之间。前述多孔隙接触层连接静电承载座与出口端，多孔隙流动层则连接入口端。工作流体自入口端依序流经多孔隙流动层、多孔隙热交换层以及多孔隙接触层，并经由出口端流出多孔隙接触层，借以与半导体晶圆进行热交换。前述循环装置连接入口端以及出口端，用以驱动工作流体循环地于冷却系统内流动。本发明不仅构造简单且成本低廉，可节省人力以及硬设备的支出，此外亦可改善制程的稳定性进而提升产品的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734738A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088732.1
申请日：2005-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种冷却装置，用以控制一静电承载座上的一半导体晶圆的温度。上述冷却装置包括一多孔隙流动层、一多孔隙接触层、一多孔隙热交换层、一入口端、一出口端以及循环装置。前述多孔隙热交换层设置于多孔隙流动层与多孔隙接触层之间。前述多孔隙接触层连接静电承载座与出口端，多孔隙流动层则连接入口端。工作流体自入口端依序流经多孔隙流动层、多孔隙热交换层以及多孔隙接触层，并经由出口端流出多孔隙接触层，借以与半导体晶圆进行热交换。前述循环装置连接入口端以及出口端，用以驱动工作流体循环地于冷却系统内流动。本发明不仅构造简单且成本低廉，可节省人力以及硬设备的支出，此外亦可改善制程的稳定性进而提升产品的良率。
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公开(公告)号：CN1220919C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN02146940.7
申请日：2002-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05D23/00
Abstract: 一种具有温度补偿特征的温度控制方法和装置。此温度控制方法至少包括：操作主温度控制装置，来提供主温度特性曲线；提供补偿温度特性曲线，其中补偿温度特性曲线与主温度特性曲线互为镜射(Mirror Reflected)；以及根据主温度特性曲线来操作主温度控制装置，同时并根据补偿温度特性曲线来操作补偿温度控制装置。因此，当受控体的机台欲动作一特定程序时，则该补偿温度控制装置同时将以该特定程序的温度特性来补偿之，故温度能完全维持在设定温度。此主温度控制装置可为：具有主冷却液(Coolant)槽的冷却机(Chiller)，或PN结(Junction)温度控制装置等，而此补偿温度控制装置可为：具有温度补偿冷却液槽的冷却机，或PN结温度控制装置等，其中此补偿温度控制装置可为开放回路或封闭回路的自动控制方式。
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公开(公告)号：CN1508852A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310103697.7
申请日：2003-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/00
CPC classification number: F16K1/223 , C23C16/4412 , Y10T137/0396 , Y10T137/86944 , Y10T137/87378 , Y10T137/87523
Abstract: 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一调压阀和至少一个第二调压阀，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一调压阀的反应时间比第二调压阀的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一调压阀提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二调压阀对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。
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公开(公告)号：CN1492295A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02146940.7
申请日：2002-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05D23/00
Abstract: 一种具有温度补偿特征的温度控制方法和装置。此温度控制方法至少包括：操作主温度控制装置，来提供主温度特性曲线；提供补偿温度特性曲线，其中补偿温度特性曲线与主温度特性曲线互为镜射(Mirror Reflected)；以及根据主温度特性曲线来操作主温度控制装置，同时并根据补偿温度特性曲线来操作补偿温度控制装置。因此，当受控体的机台欲动作一特定程序时，则该补偿温度控制装置同时将以该特定程序的温度特性来补偿之，故温度能完全维持在设定温度。此主温度控制装置可为：具有主冷却液(Coolant)槽的冷却机(Chiller)，或PN接口(Junction)温度控制装置等，而此补偿温度控制装置可为：具有温度补偿冷却液槽的冷却机，或PN接口温度控制装置等，其中此补偿温度控制装置可为开放回路或封闭回路的自动控制方式。
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公开(公告)号：CN1485888A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN02144250.9
申请日：2002-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 一种利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测装置、复合控制器、中央控制装置及输送装置。操作时，利用所述中央控制装置实时比较所述流体计测装置的研浆流量测量值与流量设定值之间的差值，以选用所述复合控制器的闭回路控制法或开回路控制法，使所述输送装置准确地控制研浆的流量输出。
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