公开(公告)号：CN100517601C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610164028.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世勋 ,  颜丰裕 ,  林秉顺 ,  金鹰 ,  陶宏远

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法。所述高介电常数介电层的形成方法，包括：于衬底上形成一第一介电层；于第一介电层上形成一金属材料层；于金属材料层上形成一第二介电层；以及于一氧化环境中对衬底实施一退火处理，并持续退火处理直到第一介电层、金属材料层及第二介电层结合形成均质的该高介电常数介电层，其中该金属材料层包括一第一金属及一第二金属，且该第一金属及第二金属的原子比及厚度比约为4∶6至6∶4。通过本发明可以提高金属氧化物半导体场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN107068679A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710073636.2

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖舜章 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  廖家骏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的第二第一型沟道场效晶体管。第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压。第一栅极结构包含第一功函数调整材料层，且第二栅极结构包含第二功函数调整材料层。第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。

公开(公告)号：CN106373997A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510953080.7

申请日：2015-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁春昇 ,  张世勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体制造的方法包括在衬底上方形成介电层。在介电层上形成伪栅极结构，伪栅极结构限定了伪栅极介电区域。蚀刻未包括在伪栅极介电区域中的部分介电层以形成介电回蚀刻区域。在部分介电回蚀刻区域上形成间隔件元件，间隔件元件邻接伪栅极结构并且限定了间隔件介电区域。伪栅极介电区域的高度大于间隔件介电区域的高度。在衬底中形成凹进部分，在凹进部分上方选择性地生长应变材料以形成邻近间隔件介电区域的应变凹进区域。去除伪栅极结构和伪栅极介电区域。形成栅电极层和栅极介电层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106206434A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

公开(公告)号：CN119521697A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411323513.6

申请日：2024-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林明慧 ,  郑凯元 ,  曹志彬 ,  彭兴淦 ,  张世勋 ,  王淑慧 ,  叶震亚

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/10 ,  H10D64/66 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括沉积栅极介电层于基底的第一区域上方的第一纳米结构上以及沉积第二纳米结构于基底的第二区域上；沉积一第一功函数金属(work function metal,WFM)层于第一及第二纳米结构上方；沉积一第一硬式掩模(hard mask,HM)层于第一WFM层上；选择性去除第一区域上方的第一HM层及第一WFM层；选择性去除第二区域上方的第一HM层；沉积第二WFM层于基底上；沉积第二HM层于第二WFM层上；选择性去除第一区域上方的第二HM层及第二WFM层层；选择性去除第二区域上方的第二HM层；以及沉积第三WFM层于基底上。

公开(公告)号：CN106252231B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201610004626.9

申请日：2016-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  廖家俊 ,  梁春昇 ,  张世勋 ,  卢仁祥

IPC: H01L21/336

Abstract: 制造半导体FinFET的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括部分从隔离绝缘层暴露的上层。在部分鳍结构上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。形成源极和漏极。去除伪栅电极以使由伪栅极介电层覆盖的上层暴露。去除鳍结构的上层以产生由伪栅极介电层形成的凹槽。部分上层保留在凹槽的底部处。在凹槽中形成沟道层。去除伪栅极介电层。在沟道层上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103107198B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210335590.4

申请日：2012-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  孙韵茹 ,  张世勋 ,  陈嘉仁 ,  山本知成 ,  郭志伟 ,  孙孟毅 ,  丁国强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。

公开(公告)号：CN103107198A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210335590.4

申请日：2012-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志忠 ,  孙韵茹 ,  张世勋 ,  陈嘉仁 ,  山本知成 ,  郭志伟 ,  孙孟毅 ,  丁国强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。

公开(公告)号：CN100580883C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200810001342.X

申请日：2008-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 德根特·史蒂芬 ,  拉纳森·拉尔克 ,  凡尔薛·史文 ,  张世勋 ,  爱德曼·克理斯夫 ,  汤姆薛曼

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。

公开(公告)号：CN106206434B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。