公开(公告)号：CN106206434B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

公开(公告)号：CN106206434A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

公开(公告)号：CN106252231A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610004626.9

申请日：2016-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  廖家俊 ,  梁春昇 ,  张世勋 ,  卢仁祥

IPC: H01L21/336

Abstract: 制造半导体FinFET的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括部分从隔离绝缘层暴露的上层。在部分鳍结构上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。形成源极和漏极。去除伪栅电极以使由伪栅极介电层覆盖的上层暴露。去除鳍结构的上层以产生由伪栅极介电层形成的凹槽。部分上层保留在凹槽的底部处。在凹槽中形成沟道层。去除伪栅极介电层。在沟道层上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106252231B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201610004626.9

申请日：2016-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  廖家俊 ,  梁春昇 ,  张世勋 ,  卢仁祥

IPC: H01L21/336

Abstract: 制造半导体FinFET的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括部分从隔离绝缘层暴露的上层。在部分鳍结构上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。形成源极和漏极。去除伪栅电极以使由伪栅极介电层覆盖的上层暴露。去除鳍结构的上层以产生由伪栅极介电层形成的凹槽。部分上层保留在凹槽的底部处。在凹槽中形成沟道层。去除伪栅极介电层。在沟道层上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。