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公开(公告)号：CN110416159A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201811390946.8
申请日：2018-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤。移除形成在第一鳍片及第二鳍片上的虚设栅极结构，形成第一沟槽，暴露第一鳍片的一部分，与形成第二沟槽，暴露第二鳍片的一部分，以及形成界面层。形成包括镧及氧的第一高k介电层，在第一沟槽及第二沟槽中的界面层上。移除该第二沟槽中的第一高k介电层。形成自组装单层，在第一沟槽中的第一高k介电层上。形成第二高k介电层，在第一沟槽中的含磷酸盐单层之上与在第二沟槽中的界面层上。形成功函数金属层，在第一沟槽及第二沟槽中。形成体导电层，在第一沟槽及第二沟槽中的功函数金属层之上。
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公开(公告)号：CN118841371A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410715591.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成悬空的纳米结构的第一堆叠于第一区中，形成悬空的纳米结构的第二堆叠于第二区中，以及悬空的纳米结构的第三堆叠于第三区中；沉积第一功函数层以包覆第一区、第二区、与第三区中的纳米结构；自第一区与第二区移除第一功函数层；沉积第二功函数层以包覆第一区与第二区中的纳米结构，并位于第三区中的第一功函数层上；自第一区移除第二功函数层；沉积第三功函数层以包覆第一区中的纳米结构，并位于第二区与第三区中的第二功函数层上；以及形成盖层于第一区、第二区、与第三区中的第三功函数层上。
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公开(公告)号：CN107068679B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710073636.2
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的第二第一型沟道场效晶体管。第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压。第一栅极结构包含第一功函数调整材料层，且第二栅极结构包含第二功函数调整材料层。第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。
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公开(公告)号：CN119521697A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411323513.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括沉积栅极介电层于基底的第一区域上方的第一纳米结构上以及沉积第二纳米结构于基底的第二区域上；沉积一第一功函数金属(work function metal,WFM)层于第一及第二纳米结构上方；沉积一第一硬式掩模(hard mask,HM)层于第一WFM层上；选择性去除第一区域上方的第一HM层及第一WFM层；选择性去除第二区域上方的第一HM层；沉积第二WFM层于基底上；沉积第二HM层于第二WFM层上；选择性去除第一区域上方的第二HM层及第二WFM层层；选择性去除第二区域上方的第二HM层；以及沉积第三WFM层于基底上。
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公开(公告)号：CN103515195B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310203942.5
申请日：2013-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/435 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L28/24 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/4941 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构可以包括位于衬底上的与诸如晶体管的其他器件同时形成的电阻器。图案化在衬底上形成的扩散阻挡层以形成电阻器和位于晶体管栅极下方的阻挡层。以与晶体管的栅极相同的方式和同时在电阻器上形成填充材料、第一连接件和第二连接件。去除填充材料以形成位于衬底上的电阻器。本发明还提供了衬底电阻器及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206434B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510793768.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76224 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L29/0649 , H01L29/42372 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。
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公开(公告)号：CN109860297A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811339371.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体元件包括基板、栅极堆叠。基板包括半导体鳍。栅极堆叠设置在半导体鳍上。栅极堆叠包括设置在半导体鳍上方的介电层、及设置在介电层上方并且具有第一金属层及在第一金属层上方的第二金属层的金属堆叠、以及设置在金属堆叠上方的栅电极。第一金属层及第二金属层具有第一元素，并且第一元素在第一金属层中的百分比高于在第二金属层中。
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公开(公告)号：CN108074804A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710152290.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/02183 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/3115 , H01L29/401 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78 , H01L21/28247
Abstract: 提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。
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公开(公告)号：CN108074804B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710152290.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。
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公开(公告)号：CN107068679A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710073636.2
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的第二第一型沟道场效晶体管。第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压。第一栅极结构包含第一功函数调整材料层，且第二栅极结构包含第二功函数调整材料层。第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。
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