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公开(公告)号：CN104701377A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410734213.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/76224 , H01L29/66545 , H01L29/7843 , H01L29/785 , H01L29/7853
Abstract: 本发明描述了半导体器件及其制造方法，半导体器件包括含有至少一个鳍的衬底、形成在至少一个鳍的顶面上的至少一个栅极堆叠件、形成在至少一个鳍的顶面上的第一层间介电(ILD)层、以及至少形成在至少一个栅极堆叠件的顶面上的应变层，其中，应变层配置为对至少一个栅极堆叠件提供应变力。
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公开(公告)号：CN104701377B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410734213.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/76224 , H01L29/66545 , H01L29/7843 , H01L29/785 , H01L29/7853
Abstract: 本发明描述了半导体器件及其制造方法，半导体器件包括含有至少一个鳍的衬底、形成在至少一个鳍的顶面上的至少一个栅极堆叠件、形成在至少一个鳍的顶面上的第一层间介电(ILD)层、以及至少形成在至少一个栅极堆叠件的顶面上的应变层，其中，应变层配置为对至少一个栅极堆叠件提供应变力。
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公开(公告)号：CN103107198B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210335590.4
申请日：2012-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/28088 , H01L21/28114 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/42376 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。
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公开(公告)号：CN103107198A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210335590.4
申请日：2012-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/28088 , H01L21/28114 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/42376 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底；和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。
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