公开(公告)号：CN100580883C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200810001342.X

申请日：2008-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 德根特·史蒂芬 ,  拉纳森·拉尔克 ,  凡尔薛·史文 ,  张世勋 ,  爱德曼·克理斯夫 ,  汤姆薛曼

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。

公开(公告)号：CN101308788A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810001342.X

申请日：2008-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 德根特·史蒂芬 ,  拉纳森·拉尔克 ,  凡尔薛·史文 ,  张世勋 ,  爱德曼·克理斯夫 ,  汤姆薛曼

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。