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公开(公告)号：CN105702667A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510943619.0
申请日：2015-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L23/62 , H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L23/62 , H01L29/66143
Abstract: 本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。本公开又提供一种电子装置，其包括上述中介层，也提供使用中介层的一种保护装置，其提供一放电路径通过肖特基二极管至半导体基底，以及提供一种包括半导体基底及肖特基二极管的中介层的制造方法。本公开在所需的工艺步骤最少化下提供额外的功能。
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公开(公告)号：CN103681353A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310394909.5
申请日：2013-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/28255 , H01L21/28518 , H01L21/76814 , H01L29/165 , H01L29/41775 , H01L29/41783 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628
Abstract: 本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。
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公开(公告)号：CN101431055A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810175015.6
申请日：2008-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心 , 三星电子股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种简化的双功函数半导体装置及其制造方法，该方法其始于一单一金属栅极，进而完成装置本身的制造。一单一金属单一介电质的互补式金属氧化物半导体集成电路系统中，先沉积具有一栅介电层与一介电顶盖层的一单一介电质堆叠结构及其上的一金属层，而形成一金属－介电质界面。在形成上述介电质堆叠结构与上述金属层后，立即借助在至少部分的上述介电顶盖层加入功函数调整元素而对其作选择性地改质，上述部分是邻接于上述金属－介电质界面。本发明的优点在于其集成电路的绕线不需要选择性的金属蚀刻或选择性的介电顶盖层蚀刻，以维持上述金属－介电质界面，并避免上述选择性的蚀刻所造成的介电质损伤。
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公开(公告)号：CN103681353B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310394909.5
申请日：2013-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/28255 , H01L21/28518 , H01L21/76814 , H01L29/165 , H01L29/41775 , H01L29/41783 , H01L29/45 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628
Abstract: 本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。
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公开(公告)号：CN101425457A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810173842.1
申请日：2008-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心 , 鲁汶天主教大学(KUL)研究开发部
CPC classification number: H01L21/28167 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L21/31654 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件，该方法包括下列步骤：提供一半导体基材；清洗该基材；对该基材进行一热处理；沉积一高介电常数材料，其中该热处理在一无氧化环境中进行，导致形成一薄界面层。本发明的方法能产生均匀且薄的、具有适当的末端的界面层，使其能够相容于后续高介电常数(high－k)材料的沉积，并能改善界面层的粗糙度与品质。同时，本发明的结构能增进在半导体元件中的电荷载流子迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276786A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710194671.6
申请日：2007-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823835 , H01L21/823842
Abstract: 一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于该半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一个第一金属和至少一个第一功函数调整元素；提供第二金属层于该第二区域的第二电极之上且该第二金属层包括至少一个第二金属；以及对该第一电极施以第一硅化工艺，且对该第二电极施以第二硅化工艺，其中该第一硅化工艺和该第二硅化工艺同时进行。本发明的优点在于通过使用一合金材料的硅化工艺，可使得栅极电极的功函数值具有较广的调整范围。
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公开(公告)号：CN101221922A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810003129.2
申请日：2008-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L27/092 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L21/823842 , H01L29/785
Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法，该制造方法包括在基底的第一区域上形成第一装置以及在该基底的第二区域上形成第二装置，包括下列步骤：在该基底的该第一区域与该第二区域上形成介电层，在该第一区域内与该第二区域内的该介电层同时沉积而成；以及提供栅电极在该第一区域与该第二区域的该介电层之上，位于该第一区域内与该第二区域内的该栅电极同时沉积而成。该双功函数半导体装置的制造方法还包括形成上盖层于该第一区域上并介于该介电层与该栅电极之间，以改变该第一区域内的该第一装置的功函数；以及注入杂质于该栅介电层与该栅电极间的界面处，以改变该第二区域内的该第二装置的功函数。本发明能够简化工艺流程。
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公开(公告)号：CN101170127A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710181741.4
申请日：2007-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28097 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/2807 , H01L21/32155 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN101494200B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910002600.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/513
Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二栅极堆叠结构的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。
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公开(公告)号：CN101170127B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200710181741.4
申请日：2007-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28097 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/2807 , H01L21/32155 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/4975 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。
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