公开(公告)号：CN100517601C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610164028.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世勋 ,  颜丰裕 ,  林秉顺 ,  金鹰 ,  陶宏远

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法。所述高介电常数介电层的形成方法，包括：于衬底上形成一第一介电层；于第一介电层上形成一金属材料层；于金属材料层上形成一第二介电层；以及于一氧化环境中对衬底实施一退火处理，并持续退火处理直到第一介电层、金属材料层及第二介电层结合形成均质的该高介电常数介电层，其中该金属材料层包括一第一金属及一第二金属，且该第一金属及第二金属的原子比及厚度比约为4∶6至6∶4。通过本发明可以提高金属氧化物半导体场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN101345260A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810137833.7

申请日：2008-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  荆凤德 ,  洪彬舫 ,  颜丰裕 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。

公开(公告)号：CN101051638A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610167904.9

申请日：2006-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜丰裕 ,  徐鹏富 ,  金鹰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，是具有PMOS与NMOS晶体管的CMOS元件，所述晶体管在一半导体元件上方具有不同栅极结构。一第一栅极结构，位于该PMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第一栅极介电层、与一位于该第一栅极介电层上方的第一栅极导电体；以及一第二栅极结构，位于该NMOS元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第二栅极介电层、及一位于该第一栅极介电层上方的第二栅极导电体；其中，该第一栅极导电体包括一以硅为基材的材料层，且该第二栅极导电体包括一以金属为基材的材料层。本发明所述的半导体元件，由于平衡了工作函数而提升了CMOS元件的性能。

公开(公告)号：CN101345260B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200810137833.7

申请日：2008-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  荆凤德 ,  洪彬舫 ,  颜丰裕 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。

公开(公告)号：CN1983524A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610164028.4

申请日：2006-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世勋 ,  颜丰裕 ,  林秉顺 ,  金鹰 ,  陶宏远

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法。所述高介电常数介电层的形成方法，包括：于衬底上形成一第一介电层；于第一介电层上形成一金属材料层；于金属材料层上形成一第二介电层；以及于一氧化环境中对衬底实施一退火处理，并持续退火处理直到第一介电层、金属材料层及第二介电层结合形成均质的该高介电常数介电层。通过本发明可以提高金属氧化物半导体场效应晶体管的性能。