公开(公告)号：CN119521697A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411323513.6

申请日：2024-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林明慧 ,  郑凯元 ,  曹志彬 ,  彭兴淦 ,  张世勋 ,  王淑慧 ,  叶震亚

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/10 ,  H10D64/66 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括沉积栅极介电层于基底的第一区域上方的第一纳米结构上以及沉积第二纳米结构于基底的第二区域上；沉积一第一功函数金属(work function metal,WFM)层于第一及第二纳米结构上方；沉积一第一硬式掩模(hard mask,HM)层于第一WFM层上；选择性去除第一区域上方的第一HM层及第一WFM层；选择性去除第二区域上方的第一HM层；沉积第二WFM层于基底上；沉积第二HM层于第二WFM层上；选择性去除第一区域上方的第二HM层及第二WFM层层；选择性去除第二区域上方的第二HM层；以及沉积第三WFM层于基底上。