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    半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114914200A

    公开(公告)日：2022-08-16

    申请号：CN202210202496.5

    申请日：2022-03-03

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 高伟智 ,  江欣哲 ,  梁春昇 ,  潘国华

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

    Abstract: 本公开提出一种半导体装置。所述的虚设鳍片包括低介电常数(低k或LK)材料外壳。由于在低k材料外壳中形成的空隙中填充有高介电常数(高k或HK)材料内核，否则会产生漏电流路径。这提高虚设鳍片提供电性隔离的有效性并且提高包括虚设鳍片的半导体装置的装置性能。此外，本公开所述的虚设鳍片可能不会遭受在其他类型的虚设鳍片中经历的弯曲问题，否则可能导致高k感应交流电流(AC)性能劣化。用于形成本公开所述的虚设鳍片的工艺与其他鳍式场效晶体管(finFET)的形成工艺相容，并且易于集成化以最小化及/或防止研磨问题、回蚀问题及/或其他类型的半导体工艺问题。

    包括鳍结构的半导体器件及其制造方法
    2.
    发明授权
    包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106252231B

    公开(公告)日：2020-04-17

    申请号：CN201610004626.9

    申请日：2016-01-05

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 陈逸仁 ,  廖家俊 ,  梁春昇 ,  张世勋 ,  卢仁祥

    IPC: H01L21/336

    Abstract: 制造半导体FinFET的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括部分从隔离绝缘层暴露的上层。在部分鳍结构上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。形成源极和漏极。去除伪栅电极以使由伪栅极介电层覆盖的上层暴露。去除鳍结构的上层以产生由伪栅极介电层形成的凹槽。部分上层保留在凹槽的底部处。在凹槽中形成沟道层。去除伪栅极介电层。在沟道层上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。

    半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN110610903A

    公开(公告)日：2019-12-24

    申请号：CN201910043132.5

    申请日：2019-01-17

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 江欣哲 ,  黄如立 ,  梁春昇 ,  叶震亚

    IPC: H01L21/82

    Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一和第二氮化硅部件于一接触孔的侧壁表面上，所述接触孔设置于一介电层中和一源极/漏极(S/D)部件上方。此方法还包括形成一接触插塞于接触孔中，所述接触插塞与源极/漏极部件电耦合，移除接触插塞的一顶部以在接触孔中创造一凹部，形成一硬罩幕层于凹部中，以及通过选择性蚀刻移除第一和第二氮化硅部件以分别形成第一和第二气隙。

    半导体装置的制造方法
    5.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN114220771A

    公开(公告)日：2022-03-22

    申请号：CN202110891200.0

    申请日：2021-08-04

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 刘邦轩 ,  叶冠麟 ,  梁春昇 ,  江欣哲

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

    Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在包含半导体鳍片结构的上方表面与侧边表面上方形成第一介电层。在设置于鳍片结构的上方表面上方的第一介电层的第一部分上形成遮罩层。遮罩层与第一介电层具有不同的材料组成。蚀刻设置于鳍片结构的侧边表面上的第一介电层的第二部分。遮罩层保护第一介电层的第一部分免受蚀刻。于遮罩层上方及鳍片结构的侧边表面上形成第二介电层。执行氧化制程以将遮罩层转换为介电材料，介电材料具有与第一介电层或第二介电层实质上相同的材料组成。介电材料与第一或第二介电层的剩余部分共同作为晶体管的栅极介电质。

    半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开
    半导体装置的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN110416160A

    公开(公告)日：2019-11-05

    申请号：CN201910289470.7

    申请日：2019-04-11

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 梁春昇 ,  许梦舫

    IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/49

    Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：移除形成于第一鳍片和第二鳍片的上方的虚设栅极结构，形成暴露出部分的第一鳍片和第二鳍片的沟槽；形成高介电常数介电层于第一鳍片和第二鳍片的暴露部分的上方；形成覆盖层于高介电常数介电层的上方；形成硬罩幕层于覆盖层的上方而完全填充沟槽；形成隔离部件于第一鳍片和第二鳍片之间的硬罩幕层中，隔离部件具有延伸穿过覆盖层的侧壁；移除硬罩幕层，而暴露出覆盖层和隔离部件的侧壁；于覆盖层的上方并沿着隔离部件的侧壁形成导电电极。本发明实施例也提供一种半导体结构。

    半导体结构
    7.
    发明公开
    半导体结构 无效

    公开(公告)号：CN110224026A

    公开(公告)日：2019-09-10

    申请号：CN201810525377.7

    申请日：2018-05-28

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 黄如立 ,  黄铭淇 ,  庄英良 ,  叶明熙 ,  江欣哲 ,  梁春昇

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

    Abstract: 本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些例子中的湿式工艺形成单层于金属层(如阻障层或功函数调整层)上，以作为图案化金属层所用的硬遮罩。

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