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公开(公告)号：CN114914200A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210202496.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。所述的虚设鳍片包括低介电常数(低k或LK)材料外壳。由于在低k材料外壳中形成的空隙中填充有高介电常数(高k或HK)材料内核，否则会产生漏电流路径。这提高虚设鳍片提供电性隔离的有效性并且提高包括虚设鳍片的半导体装置的装置性能。此外，本公开所述的虚设鳍片可能不会遭受在其他类型的虚设鳍片中经历的弯曲问题，否则可能导致高k感应交流电流(AC)性能劣化。用于形成本公开所述的虚设鳍片的工艺与其他鳍式场效晶体管(finFET)的形成工艺相容，并且易于集成化以最小化及/或防止研磨问题、回蚀问题及/或其他类型的半导体工艺问题。
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公开(公告)号：CN110610903A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910043132.5
申请日：2019-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一和第二氮化硅部件于一接触孔的侧壁表面上，所述接触孔设置于一介电层中和一源极/漏极(S/D)部件上方。此方法还包括形成一接触插塞于接触孔中，所述接触插塞与源极/漏极部件电耦合，移除接触插塞的一顶部以在接触孔中创造一凹部，形成一硬罩幕层于凹部中，以及通过选择性蚀刻移除第一和第二氮化硅部件以分别形成第一和第二气隙。
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公开(公告)号：CN108074804B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710152290.5
申请日：2017-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。
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公开(公告)号：CN106206434A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510793768.3
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76224 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L29/0649 , H01L29/42372 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。
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公开(公告)号：CN110783182B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910298155.0
申请日：2019-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置的形成方法。本发明提供的方法施加保护层于栅极堆叠的一部分上，接着移除保护层。沉积保护层之后，将等离子体前驱物分离成多个组成。接着采用中性自由基移除保护层。在一些实施例中，移除步骤亦形成保护性的副产物，其有助于保护下方的层状物免于在蚀刻工艺中损伤。
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公开(公告)号：CN114220771A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110891200.0
申请日：2021-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在包含半导体鳍片结构的上方表面与侧边表面上方形成第一介电层。在设置于鳍片结构的上方表面上方的第一介电层的第一部分上形成遮罩层。遮罩层与第一介电层具有不同的材料组成。蚀刻设置于鳍片结构的侧边表面上的第一介电层的第二部分。遮罩层保护第一介电层的第一部分免受蚀刻。于遮罩层上方及鳍片结构的侧边表面上形成第二介电层。执行氧化制程以将遮罩层转换为介电材料，介电材料具有与第一介电层或第二介电层实质上相同的材料组成。介电材料与第一或第二介电层的剩余部分共同作为晶体管的栅极介电质。
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公开(公告)号：CN110783404A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910375551.9
申请日：2019-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例说明鳍状场效晶体管装置的结构与形成方法。鳍状场效晶体管装置包括：基板；鳍状物，位于基板上；以及栅极结构，位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层，位于栅极结构的内侧侧壁上。功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面。栅极结构亦包括充填栅极金属层，位于功函数金属层的最顶侧表面上。充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面。栅极结构亦包括自组装单层，位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。
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公开(公告)号：CN110416159A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201811390946.8
申请日：2018-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤。移除形成在第一鳍片及第二鳍片上的虚设栅极结构，形成第一沟槽，暴露第一鳍片的一部分，与形成第二沟槽，暴露第二鳍片的一部分，以及形成界面层。形成包括镧及氧的第一高k介电层，在第一沟槽及第二沟槽中的界面层上。移除该第二沟槽中的第一高k介电层。形成自组装单层，在第一沟槽中的第一高k介电层上。形成第二高k介电层，在第一沟槽中的含磷酸盐单层之上与在第二沟槽中的界面层上。形成功函数金属层，在第一沟槽及第二沟槽中。形成体导电层，在第一沟槽及第二沟槽中的功函数金属层之上。
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公开(公告)号：CN110224026A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810525377.7
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些例子中的湿式工艺形成单层于金属层(如阻障层或功函数调整层)上，以作为图案化金属层所用的硬遮罩。
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公开(公告)号：CN109841672B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201810036234.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本揭露提供一种具有减少的寄生电容的鳍状场效晶体管装置。所述鳍状场效晶体管装置包括具有至少一鳍的半导体基材和横跨此至少一鳍的栅极结构。所述栅极结构包括二个栅极堆叠、栅极隔离结构和二个间隙壁。所述栅极隔离结构是设于栅极堆叠之间并与栅极堆叠相接。所述间隙壁夹设栅极堆叠和栅极隔离结构。间隙壁包含二个第一部分和一个第二部分，其中第一部分接触栅极堆叠，第二部分接触栅极隔离结构，且第一部分夹设第二部分。间隙壁的第一部分的材料与间隙壁的第二部分的材料不同。
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