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公开(公告)号：CN113540287A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110730391.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0749
Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。
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公开(公告)号：CN110106477B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910432869.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 南开大学
IPC: C23C14/26
Abstract: 本公开提供一种石墨芯结构的高温裂解金属蒸发源，包括：坩埚，用于盛放镀膜材料；石墨芯裂解器，其设置于所述坩埚内的中部，且位于所述镀膜材料的上方，其上设置有连通所述镀膜材料与所述坩埚外部环境的通道；加热单元，其环绕所述坩埚的侧壁设置，用于加热所述坩埚中的所述镀膜材料，使其蒸发并穿过所述石墨芯裂解器上的通道；隔热层，其环绕所述加热单元设置，用于隔绝所述加热单元与外界的能量交换。本公开提供的石墨芯结构的高温裂解金属蒸发源使用石墨芯裂解器。使用石墨芯，解决了坩埚口部镀膜材料的冷凝问题，避免了冷凝的颗粒被带到薄膜内部，提升了沉积薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN110611001A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910906720.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种磷酸盐制备太阳电池的方法，包括以下步骤：在衬底上制备Mo金属电极；将Mo金属电极在浓度为5mmol/L的磷酸盐溶液中进行浸泡，然后以500℃～600℃退火30min，获得P掺杂的Mo电极；在P掺杂的Mo电极上形成金属预制层；对金属预制层进行后硒化处理或后硫化处理形成吸收层；在吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明利用磷酸盐溶液对金属Mo电极进行浸泡并在500℃～600℃退火处理，有效提高了薄膜太阳电池的短路电流、开路电压和器件效率。
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公开(公告)号：CN107331615A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710511722.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324
Abstract: 一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法。表面处理是指在含S、Se、O、H等气氛中对半导体薄膜表面进行硫化、硒化、钝化或元素掺杂的过程。目的是提高半导体薄膜表面带隙，消除半导体薄膜表面悬挂键，钝化半导体薄膜表面缺陷，提高半导体薄膜导电能力。本发明提供的脉冲式快速热处理方法是在较低衬底温度下，采用高温或超高温度热处理半导体薄膜表面，处理温度500℃～1000℃，热处理时间60s以内。瞬间高温或超高温热处理可促进半导体薄膜表面化学反应发生，脉冲式快速热处理以及低衬底温度可实现半导体薄膜表面100nm厚度内的处理。
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公开(公告)号：CN100575539C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300-500℃之间，铟源加热至400-1200℃之间，镓源加热至500-1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101245442A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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公开(公告)号：CN101093863A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710057597.3
申请日：2007-06-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法，利用该发明制备的金属衬底ZnO杂质阻挡层和电绝缘层，适宜于柔性光伏电池。本发明利用纯锌靶或者ZnO陶瓷靶等靶材，通过溅射法在金属衬底上沉积ZnO薄膜，通过调整Ar和O2流量比来获得理想的ZnO薄膜，薄膜结构致密，作为杂质阻挡层对于金属衬底内的杂质具有很好的阻挡效果，作为电绝缘层具有良好的绝缘效果，用于制备柔性金属衬底电池及组件。
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公开(公告)号：CN1819077A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19nm，厚度200～500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10％～12％。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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公开(公告)号：CN103560155A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310550504.6
申请日：2013-11-08
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0747 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , H01L31/0735 , H01L31/022475
Abstract: 一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池，由栅电极、透明导电层、p型化合物半导体薄膜、n型或p型晶体硅片、n型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极依次组成并构成叠层结构，其中在n型或p型晶硅片的两面腐蚀有减反织构面，受光面p型或n型化合物半导体薄膜材料禁带宽度>1.7eV，p型化合物半导体薄膜的电子亲和势 5.5eV。本发明的优点：该太阳电池通过综合选取化合物异质结材料，降低了异质结界面处的复合，有利于太阳电池开路电压提高，能够进一步降低晶硅界面处的少子复合，改善界面载流子输运，增加光生电流，提升太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN100516285C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710150785.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。
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