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公开(公告)号：CN101093863A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710057597.3
申请日：2007-06-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法，利用该发明制备的金属衬底ZnO杂质阻挡层和电绝缘层，适宜于柔性光伏电池。本发明利用纯锌靶或者ZnO陶瓷靶等靶材，通过溅射法在金属衬底上沉积ZnO薄膜，通过调整Ar和O2流量比来获得理想的ZnO薄膜，薄膜结构致密，作为杂质阻挡层对于金属衬底内的杂质具有很好的阻挡效果，作为电绝缘层具有良好的绝缘效果，用于制备柔性金属衬底电池及组件。
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公开(公告)号：CN1257560C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200310107202.8
申请日：2003-12-05
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/36 , C23C14/34 , C23C14/06
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板-面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100581995C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810053051.5
申请日：2008-05-09
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P20/128 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括：将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽；向上步产生的硒蒸汽中并入氢气，或氢气与氩气的混合气体；将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成，得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐，反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔，以及反应罐外的加热装置和激励电源，同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口，反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点，又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛，使之具有硒化氢的高活性硒源的特性，还可节省大量的硒原料，降低成本，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN1285129C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200310107262.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n-型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
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公开(公告)号：CN1547262A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310107262.X
申请日：2003-12-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n－型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
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公开(公告)号：CN1547239A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310107202.8
申请日：2003-12-05
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热,电池基板的背部一面用接触式热源加热,镀覆金属预制层的基板一面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101284654A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810053051.5
申请日：2008-05-09
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P20/128 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括：将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽；向上步产生的硒蒸汽中并入氢气，或氢气与氩气的混合气体；将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成，得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐，反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔，以及反应罐外的加热装置和激励电源，同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口，反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点，又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛，使之具有硒化氢的高活性硒源的特性，还可节省大量的硒原料，降低成本，具有重要的实用价值。
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