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公开(公告)号：CN1805080A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN1803962A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510122236.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为FexGe1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导体材料，同时也不同于非晶结构的纳米晶的铁－锗颗粒薄膜材料，其霍尔电阻灵敏度高达125V/AT，工作温度可以扩展到－250℃到+200℃，并且具有更小的热漂移、零磁场偏移。与传统的半导体材料相比，本发明的材料制备简单，成本低，灵敏度高、工作温度范围宽，器件尺寸小，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1819077A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19nm，厚度200～500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10％～12％。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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公开(公告)号：CN1776005A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510122237.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在－250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100401433C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19纳米，厚度200-500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10%～12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100349308C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510122238.2
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为FexGe1-x的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中x为铁金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在0.3～1微米。本发明的微型的霍尔元件的工作温度在-250℃到+200℃范围内，并具有125VA/T以上的霍尔电阻灵敏度，其线性度优于千分之三，热漂移小于140ppm/K，零磁场偏移量在千分之五以内。在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1331975C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200510122236.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导体材料，同时也不同于非晶结构的纳米晶的铁—锗颗粒薄膜材料，其霍尔电阻灵敏度高达125V/AT，工作温度可以扩展到-250℃到+200℃，并且具有更小的热漂移、零磁场偏移。与传统的半导体材料相比，本发明的材料制备简单，成本低，灵敏度高、工作温度范围宽，器件尺寸小，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100409379C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN100387751C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510122237.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在-250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1776929A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510122238.2
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为FexGe1－x的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中x为铁金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在0.3～1微米。本发明的微型的霍尔元件的工作温度在－250℃到+200℃范围内，并具有125VA/T以上的霍尔电阻灵敏度，其线性度优于千分之三，热漂移小于140ppm/K，零磁场偏移量在千分之五以内。在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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