公开(公告)号：CN113972301B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202111225067.1

申请日：2021-10-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  王超杰 ,  姚毅峰 ,  程世清 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。

公开(公告)号：CN113540287A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110730391.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  程世清 ,  张凯智 ,  姚毅峰 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。

公开(公告)号：CN113540287B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110730391.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  程世清 ,  张凯智 ,  姚毅峰 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。

公开(公告)号：CN113972301A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111225067.1

申请日：2021-10-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  王超杰 ,  姚毅峰 ,  程世清 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。