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公开(公告)号：CN106299126A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510307871.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003
Abstract: 本发明涉及专门将光转化为电的光伏器件，特指硅薄膜材料作为电子传输层结构的钙钛矿太阳电池。由FTO透明导电玻璃、N型非晶硅薄膜材料、钙钛矿本征吸收层、空穴传输层和金属电极构成。在透明导电玻璃上沉积非晶硅薄膜材料，之后旋涂钙钛矿吸光材料，在钙钛矿之上旋涂Spiro-OMeTAD或者P3HT材料作为空穴传输层，之后蒸制电极。其特点是非晶硅作为钙钛矿电池的电子传输层，其带隙可以通过掺杂浓度调控，可以很好的与钙钛矿材料实现能级匹配。通过控制沉积条件可以改善薄膜质量和导电性。其制备方法容易价格低廉稳定性好，具有重要的研究价值和实用价值。
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公开(公告)号：CN105591031A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610167336.6
申请日：2016-03-23
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/4253 , H01L51/426 , H01L51/44
Abstract: 一种基于初晶态多孔纳米锗薄膜的双通道并联型有机-无机复合太阳电池，以具有n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜为基础，在其上旋涂有机给体/有机受体活性层，有机给体/有机受体形成体相异质结的同时有机给体/无机受体形成平面异质结。在此体相异质结和平面异质结共存的复合结构中，载流子可实现并联方式的双通道输运，进而在改善电池输运性能的同时增强和拓展电池对太阳光谱的吸收。其中，n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜采用平板电容耦合等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统在室温下制备而成。本发明的优点在于：载流子并联的双通道输运方式与锗材料窄带隙、高吸收系数、高载流子迁移率的特性相结合，实现有机电池载流子输运能力和太阳光谱吸收的共同提升。
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公开(公告)号：CN105356582A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510853249.1
申请日：2015-11-30
Applicant: 南开大学
IPC: H02J7/35
CPC classification number: Y02E10/566 , H02J7/35
Abstract: 本发明公开了一种可远程控制的光伏多路输出电源，包括：无间断供电模块、多路电源输出模块和人机交互与远程控制模块。通过简易的电子器件，可以实现光伏发电系统和电网的联合供电，从而提高了光伏发电系统输出的稳定性。同时通过内置的无线通信模块，可实现对传统电源的远程控制。该电源造价低廉，设计新颖，便于批量化生产。此电源在实际的市场中，具有较大的需求，可在一定程度上解决当前小型光伏发电系统输出不稳定的弊端，有利于光伏发电产业的进步。
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公开(公告)号：CN105322094A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510309257.X
申请日：2015-06-08
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳电池电子传输层的制备方法。运用简单的化学方法分多次、多步骤制备二氧化钛溶胶-凝胶。并且在二氧化钛溶胶-凝胶的制备方法中结合二氧化钛不同晶相形成的条件，在溶液混合之后，进行加热，制备出透明的二氧化钛溶胶-凝胶。并采用独特的退火工艺得到优质的二氧化钛薄膜。提高了薄膜的透过率、结晶程度，同时改善了它的表面形貌。整个制备工艺简单，便于工业控制，易于操作。制得的二氧化钛薄膜用于钙钛矿型太阳电池，可以有效改善它的性能，可使其光电转换效率达12%以上。
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公开(公告)号：CN102654560A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210118587.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 南开大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及集成电路中硬件木马的无损检出系统，包括离心加速装置、测试电路系统和外围监控装置。所述的离心加速装置包括一个减速电机直驱的承载盘和电机调速控制器，承载盘上设置有固定槽部件和配重板，具备夹具和配重调整功能；测试电路系统包括激励发生、响应记录和比对、精密电压源、功耗监测和通信电路；外围监控装置由数据接收和计算机构成。本发明为可疑的集成电路提供相应测试环境；以无损方式检出被植入硬件木马的集成电路，可以使被植入硬件木马的集成电路在进入应用系统前被检出，避免应用系统受到硬件木马的威胁，保证重要系统的安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102636743A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210118471.3
申请日：2012-04-20
Applicant: 南开大学
IPC: G01R31/317
Abstract: 本发明涉及集成电路中罕见向量序列激活型硬件木马的无损检出方法。该方法包括：为待测集成电路提供相应测试环境；为待测集成电路产生罕见向量序列；以罕见向量序列激励待测集成电路，测试待测集成电路的特性参数和功能作用是否异常，如果异常，检出被植入硬件木马的集成电路并记录破坏方式。基于本发明，可以使被植入硬件木马的集成电路在进入应用系统前被检出，避免应用系统受到硬件木马的威胁，保证重要系统中关键设备的安全。
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公开(公告)号：CN100432284C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610013295.1
申请日：2006-03-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10-2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压-8.0kV等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90%，电阻率为2.168×10-4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为-4.55×10-2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。
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公开(公告)号：CN100401433C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19纳米，厚度200-500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10%～12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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公开(公告)号：CN102199746A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110119447.7
申请日：2011-05-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化物薄膜材料，调节蒸发源温度可以得到不同掺杂浓度的P型和N型锑化物材料；通过使用不同衬底和蒸发源得到锑化物的同质结或异质结P-N结构。
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公开(公告)号：CN1805080A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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