公开(公告)号：CN113540287B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110730391.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  程世清 ,  张凯智 ,  姚毅峰 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。

公开(公告)号：CN113540287A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110730391.2

申请日：2021-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  程世清 ,  张凯智 ,  姚毅峰 ,  孙云 ,  周志强 ,  张毅

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。