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公开(公告)号：CN118685750A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310286729.9
申请日：2023-03-22
IPC: C23C16/26 , C23C16/52 , H01M8/0228 , H01M8/021 , H01M8/0213
Abstract: 本发明公开了一种燃料电池双极板的表面处理方法。在燃料电池不锈钢双极板表面合成了一种石墨烯涂层。采用高温气相沉积的方法，无需过渡涂层，直接在不锈钢双极板表面生长石墨烯层；且通过控制石墨烯层的厚度在100‑200nm，得到石墨烯层与双极板结合力较强且寿命较长的经过处理的不锈钢双极板，能够有效阻隔酸性环境及氧气。
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公开(公告)号：CN100401433C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19纳米，厚度200-500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10%～12%。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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公开(公告)号：CN1805081A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013056.6
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex(TiO2)1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.40＜x＜0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明的Fex(TiO2)1－x磁性颗粒薄膜的最大磁电阻数值为－29.3％，室温磁电阻数值大于－10％。本发明制备的Fex(TiO2)1－x磁性颗粒薄膜具有高磁电阻数值、制备工艺简单、成本低、适用于多种基片等优点，可用来制作计算机读出磁头、磁随机存储器、微弱磁场检测、位置检测等磁敏传感器件。
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公开(公告)号：CN118684995A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310286698.7
申请日：2023-03-22
IPC: C08L63/00 , C08L23/06 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08K9/10 , H01M8/0206 , H01M8/0213 , H01M8/0221 , H01M8/0226
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属树脂复合材料及其制备方法与应用。基于石墨烯的高致密性及其对金属材质的防腐特性，将石墨烯包覆在金属填料表面，避免金属填料直接与强酸及氧气接触。将包覆着石墨烯的金属填料与树脂直接进行复合，获得复合材料即保留了金属填料的高导电性和导热性特点，又大大延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN100372032C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610013056.6
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex(TiO2)1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.40＜x＜0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明的Fex(TiO2)1-x磁性颗粒薄膜的最大磁电阻数值为-29.3%，室温磁电阻数值大于-10%。本发明制备的Fex(TiO2)1-x磁性颗粒薄膜具有高磁电阻数值、制备工艺简单、成本低、适用于多种基片等优点，可用来制作计算机读出磁头、磁随机存储器、微弱磁场检测、位置检测等磁敏传感器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1819077A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610013054.7
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法。它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径大小为13～19nm，厚度200～500nm，该Fe3O4薄膜中的多晶颗粒随机取向，没有织构，室温磁电阻数值在10％～12％。本发明的多晶Fe3O4薄膜的制备方法是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，通过控制氧气流量和铁靶的溅射功率沉积的。所用基片材料为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本方法制备温度低、制备工艺简单、适用于多种基片材料。
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公开(公告)号：CN1776005A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510122237.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在－250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118684997A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310287733.7
申请日：2023-03-22
Abstract: 本发明公开了一种环氧树脂基复合材料及其制备方法。本发明基于环氧树脂的热固性特点，提前架构起高导电的三维树脂导电网络，然后再在孔隙中继续填充环氧树脂。大大降低了导电填料之间的距离，减小了电子在导电填料之间的跃迁阻力，解决了环氧树脂基胶因加入大量的导电填料而导致加工性能降低的问题。
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公开(公告)号：CN100392775C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610013057.0
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用。它是在基片上制成磁性颗粒薄膜，磁性颗粒薄膜的组成是(NiFe)xGe1-x，其中x为镍铁合金颗粒所占的体积百分比，0.52～0.58，薄膜厚度在4～8纳米。本发明的磁性颗粒薄膜采用磁控溅射法制备，先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%；锗靶上加25瓦的射频功率，根据成份的要求，在镍铁合金靶上加以12～20瓦的直流功率。本发明的磁性颗粒薄膜具有制备工艺简单、成本低、灵敏度高、工作温度范围宽、器件尺寸小等特点，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1805080A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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