公开(公告)号：CN102199746A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110119447.7

申请日：2011-05-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 隋妍萍 ,  何炜瑜 ,  乔在祥 ,  阮建明 ,  李涛 ,  张德贤

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/06

Abstract: 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化物薄膜材料，调节蒸发源温度可以得到不同掺杂浓度的P型和N型锑化物材料；通过使用不同衬底和蒸发源得到锑化物的同质结或异质结P-N结构。

公开(公告)号：CN104465891A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410843070.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  吴限量 ,  蔡宏琨 ,  何炜瑜 ,  乔在祥

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供了一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法，主要考虑到GaSb薄膜表面存在较大缺陷态的问题，在化学水浴法制备CdS过程中采用两步法进行制备，先通过高温和高搅拌速率让溶液中的硫离子渗透到GaSb表面，以实现CdS对GaSb的钝化作用，然后稍稍降低反应温度和搅拌速率进行后续的CdS沉积，并用退火工艺提高薄膜结晶质量。本发明中，化学水浴法制备过程中的硫离子具有钝化GaSb表面悬键的作用，能有效地降低GaSb薄膜的表面复合速率，而且该方法简单廉价，易于实施，可以使制备GaSb热光伏电池的成本低廉。

公开(公告)号：CN100575539C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810052489.1

申请日：2008-03-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙云 ,  乔在祥 ,  李胜林 ,  何青 ,  张德贤 ,  周志强

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300-500℃之间，铟源加热至400-1200℃之间，镓源加热至500-1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。

公开(公告)号：CN101245442A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810052489.1

申请日：2008-03-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙云 ,  乔在祥 ,  李胜林 ,  何青 ,  张德贤 ,  周志强

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。