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公开(公告)号：CN113540287A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110730391.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0749
Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。
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公开(公告)号：CN113540287B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202110730391.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0749
Abstract: 本发明提供了一种富铜铜基薄膜太阳电池器件及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成富铜铜基薄膜太阳能电池器件的光吸收层；在光吸收层上形成类有序缺陷化合物层；在类有序缺陷化合物层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极，并露出部分窗口层，得到富铜铜基薄膜太阳电池器件；其中，类有序缺陷化合物层为在光吸收层上通过共蒸发碱金属、铟、硒元素制备而成。
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公开(公告)号：CN113972301A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111225067.1
申请日：2021-10-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118880251A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411142455.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本公开提出了一种金属蒸发器，包括内加热单元、外加热单元和活化单元。其中，内加热单元包括容纳被加热的金属的加热容器和第一加热部，第一加热部在高度方向上环绕加热容器设置，适用于对加热容器内的金属进行第一次加热，以得到金属蒸汽；外加热单元包括第二加热部，在加热容器的上部部分设置在第一加热部的外部，适用于对金属蒸汽进行第二次加热，以补偿金属蒸汽的热损失；活化单元，设置在加热容器的上方并与加热容器连通，适用于通过红外照射对金属蒸汽进行热活化，以提高金属蒸汽活性。
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公开(公告)号：CN113972301B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111225067.1
申请日：2021-10-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。
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公开(公告)号：CN119947332A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411899233.X
申请日：2024-12-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本公开提出了一种半透明超薄铜铟镓硒的薄膜太阳电池及其制备方法。薄膜太阳电池包括衬底、光吸收层、界面修饰层、缓冲层、窗口层和栅电极。其中，衬底由透明导电材料制成；光吸收层为铜铟镓硒，形成于衬底的上方，适用于吸收太阳光，产生载流子；界面修饰层形成于衬底和光吸收层之间，适用于提供光吸收层的结晶平面，并钝化衬底和光吸收层的接触面，阻止光吸收层的元素扩散，减少接触面的载流子复合；缓冲层形成于光吸收层之上，适用于形成势垒并调节功函数，以传输载流子，形成光电流；窗口层形成于缓冲层之上，适用于允许太阳光进入，并提供正向偏压，防止载流子反向流动；栅电极形成于窗口层之上，适用于收集和传输光电流。
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公开(公告)号：CN113284966B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110542983.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种硒源蒸发活化处理设备，用于制备含硒薄膜化合物，该设备包括硒源蒸发装置和硒源活化装置，其中，硒源活化装置包括：硒源活化腔室，硒源活化腔室的一侧设置有活化腔室入口，与硒源蒸发装置出口相连；与硒源活化腔室的一侧相对的另一侧设置有活化腔室出口；硒源活化器，设置于硒源活化腔室内部，用于有效活化硒源装置中硒源蒸发出来的硒蒸气；其中，硒源活化腔室和硒源活化器的制备材料均为非金属材料；硒源活化器的表面设置有n个螺旋状凹槽，其中，n≥3。
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公开(公告)号：CN113284966A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110542983.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种硒源蒸发活化处理设备，用于制备含硒薄膜化合物，该设备包括硒源蒸发装置和硒源活化装置，其中，硒源活化装置包括：硒源活化腔室，硒源活化腔室的一侧设置有活化腔室入口，与硒源蒸发装置出口相连；与硒源活化腔室的一侧相对的另一侧设置有活化腔室出口；硒源活化器，设置于硒源活化腔室内部，用于有效活化硒源装置中硒源蒸发出来的硒蒸气；其中，硒源活化腔室和硒源活化器的制备材料均为非金属材料；硒源活化器的表面设置有n个螺旋状凹槽，其中，n≥3。
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