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公开(公告)号：CN119959829A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311487425.5
申请日：2023-11-08
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁性存储器领域，特别是涉及一种TMR传感器件的生产方法及生产设备，通过将金属层光罩置于正位，并通过正位的金属层光罩制作与底部衬垫连接的底部金属层；在所述底部金属层上设置MTJ元件层；在所述MTJ元件层上通过逆位的金属层光罩制作与顶部衬垫连接的顶部金属层，得到器件前驱体；在所述器件前驱体的所述顶部衬垫及所述底部衬垫上开设连接窗口，得到TMR传感器件。本发明将所述顶部金属层及所述底部金属层的图案进行设计，使所述顶部金属层及所述底部金属层的图案相同，但方向颠倒，仅利用一个金属层光罩，通过不同的旋转位置，分别对所述顶部金属层及所述底部金属层的设置，降低了生产成本，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN119936184A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510443123.0
申请日：2025-04-10
Applicant: 天津市特种设备监督检验技术研究院(天津市特种设备事故应急调查处理中心)
IPC: G01N27/904 , G01N27/90 , G01R33/09 , F17D5/06
Abstract: 本发明公开了一种区分金属内外表面腐蚀缺陷的脉冲涡流装置及检测方法，该方法包括将激励线圈放置于无损的被测金属试件上方，记录各通道TMR传感器的检测信号，作为基准信号；将激励线圈放置于待测的金属试件上方，记录各通道TMR传感器的检测信号，作为检测信号；每个通道的检测信号分别与对应基准信号做比值，生成各通道的比值曲线；将所有比值曲线置于同一坐标系中形成全通道比值变化曲线图，根据全通道比值变化曲线图中的曲线的变化趋势，判断待测的金属试件是否出现内缺陷或外缺陷。本申请能够准确判断腐蚀缺陷的位置，特别是能够有效识别内表面和外表面腐蚀缺陷，显著提高检测的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119923187A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510039159.2
申请日：2025-01-10
Applicant: 北京拓北技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有层内电子通道的磁敏电阻及磁敏传感器，该磁敏电阻包括第一绝缘铁磁性层、第二绝缘铁磁性层及设置于所述第一绝缘铁磁性层和第二绝缘铁磁性层之间的非铁磁性复合导电层，所述非铁磁性复合导电层的厚度为纳米尺度且由上导电层、下导电层及夹设于所述上导电层和下导电层之间的电子通道层组成，所述电子通道层的电阻比上导电层和下导电层的电阻至少小两个数量级。不同于常规的利用巨磁阻效应的磁敏电阻中无论铁磁性层还是非铁磁性层均为金属材质的结构特征，本发明的磁敏电阻中两绝缘铁磁性层之间夹设一层非铁磁性复合导电层，当发生巨磁阻效应时，电流不会被两绝缘铁磁性层分流，巨磁阻效应更纯粹且显著，磁敏感性更高。
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公开(公告)号：CN119902133A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510156189.1
申请日：2025-02-12
Applicant: 江苏多维科技有限公司
Inventor： 郑阔海
Abstract: 本申请提供一种磁场传感器。所述磁场传感器采用具有磁阻和放大器的运放电路作为其电路形式；所述磁阻位于将所述放大器的输出端信号反馈到其输入端的反馈网络中，使所述放大器的输出端信号为基于所述磁阻的电阻值变化的调制信号。当所述反馈可以是正反馈时、所述调制信号为频率调制信号，当所述反馈为负反馈时，所述调制信号为幅度调制信号。本申请提供的磁场传感器便于在测量微弱磁场时，将有效信号从直流分量（噪声）中提取出来，且结构简洁、易于采用半导体工艺实现。
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公开(公告)号：CN119758201A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510252882.9
申请日：2025-03-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G01R33/09
Abstract: 本申请提供了一种矢量磁场强度测量方法和数字矢量磁阻磁强计，其能够解决现有的磁阻磁强计电路设计复杂，难以小型化，且材料成本较高的问题。该矢量磁场强度测量方法应用于数字矢量磁阻磁强计，包括：根据所处环境的磁场强度，得到第一模拟信号、第二模拟信号以及第三模拟信号；对该第一模拟信号、第二模拟信号以及第三模拟信号分别进行信号处理，得到第一数字信号、第二数字信号以及第三数字信号；对该第一数字信号、第二数字信号以及第三数字信号分别进行数字正交解调和数字补偿，得到该磁场强度在第一方向、第二方向以及第三方向上的磁场强度值和相位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119716679A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411338482.1
申请日：2024-09-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁传感器装置、磁传感器系统及动作检测装置。磁传感器装置具备磁传感器和处理器。磁传感器的多个检测电路分别包含MR元件。MR元件包含自由层，该自由层具有磁涡流结构且构成为磁涡流结构的中心根据对象磁场而移动。多个检测电路构成为分别生成根据对象磁场的方向的周期性变化而周期性地变化并且振幅根据对象磁场的强度的变化而变化的多个检测信号。处理器构成为基于多个检测信号，生成角度检测值和强度检测值。
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公开(公告)号：CN119689350A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411852977.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国南方电网有限责任公司
Abstract: 本申请涉及一种抗温漂的磁传感器和磁场测量方法。所述磁传感器包括：基板；螺旋状的微线圈，所述微线圈设置于所述基板上，用于生成稳定的磁场环境；多个磁敏感单元，各所述磁敏感单元设置于所述微线圈的不同半径位置处，各所述磁敏感单元在磁场和温度的影响下输出第一输出信号；非磁敏感单元，所述非磁敏感单元设置于所述微线圈上，所述非磁敏感单元在温度的影响下输出第二输出信号；信号处理电路，所述信号处理电路与各所述磁敏感单元和所述非磁敏感单元均连接，用于根据至少一个所述第一输出信号和所述第二输出信号输出测量值。采用本方法能够提高磁传感器的测量精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN119619587A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411265265.4
申请日：2024-09-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： C·克拉尔 , C·H·加西亚·罗贾斯 , J·古廷格
Abstract: 本公开涉及磁场传感器电路和磁场测量方法。本公开涉及磁场传感器电路(300)，其包括：第一桥电路(122‑1)，包括第一磁电阻器(R1)和第二磁电阻器(R2)的第一串联连接；以及第二桥电路(122‑2)，包括第三磁电阻器(R7)和第四磁电阻器(R8)的第二串联连接。第一桥电路(122‑1)的第一磁电阻器(R1)与第二磁电阻器(R2)之间的第一端子被耦合到第二桥电路(122‑2)的第三磁电阻器(R7)与第四磁电阻器(R8)之间的第二端子。耦合的第一端子和第二端子提供磁场传感器电路(300)的第一输出信号。
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公开(公告)号：CN113093070B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110479973.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 珠海多创科技有限公司
Abstract: TMR磁场传感器，包括连接成全桥电路的TMR单元，全桥电路的每一个桥臂上均设置有一个TMR单元，相邻桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相反，相对桥臂上的TMR单元的对外磁场敏感方向相同，两个供电端子中一个接电源，另一个接地；至少一个负电容电路，负电容电路与某一桥臂上的TMR单元并联，负电容电路的一端与接地的供电端子相连、另一端与一个输出端子相连，负电容电路两端的等效电容和与其并联的TMR单元的寄生电容的符号相反。本发明在TMR磁场传感器中设置和TMR单元并联的负电容电路，通过负电容电路补偿推挽全桥电路的寄生电容，进而补偿推挽全桥电路的寄生电容，实现TMR磁场传感器的测量频率范围的拓展。
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公开(公告)号：CN114415086B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210012289.3
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院空天信息创新研究院
Abstract: 本发明提供一种两级放大的低频磁阻传感器，包括基底、磁电阻传感元件、MEMS谐振器、两级放大调制结构，所述磁电阻传感元件设于所述基底的上端面，所述MEMS谐振器安装于所述基底上，所述两级放大调制结构包括两个第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器，所述两个第一磁力线聚集器对称设于所述磁电阻传感元件的两侧，所述第二磁力线聚集器设于所述MEMS谐振器表面，并在所述MEMS谐振器的带动下沿上下向振动。通过增添了一对磁力线聚集器，使得传感器感受的直流或低频磁场在被调制到高频场的同时，传感器的灵敏度也得到了很大的提升，从而更有效地抑制了1/f噪声，进一步提高了传感器的分辨率。
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