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公开(公告)号：CN100432284C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610013295.1
申请日：2006-03-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10-2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压-8.0kV等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90%，电阻率为2.168×10-4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为-4.55×10-2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。
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公开(公告)号：CN101177777A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710150785.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。
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公开(公告)号：CN100373635C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510122529.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30-50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。
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公开(公告)号：CN100516285C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710150785.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100433375C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510122528.7
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200-230℃褪火1-3小时，水温至50-80℃加热，超声波清洗衬底30-60分钟，120-140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。
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公开(公告)号：CN1819281A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510122528.7
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200－230℃褪火1－3小时，水温至50－80℃加热，超声波清洗衬底30－60分钟，120－ 140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。
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公开(公告)号：CN1819274A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510122529.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/24
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30－50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。
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公开(公告)号：CN1818129A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610013295.1
申请日：2006-03-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10－2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压－8.0kv等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90％，电阻率为2.168×10－4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为－4.55×10－2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。
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公开(公告)号：CN2862331Y
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200520130695.1
申请日：2005-12-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/687
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型涉及一种用于柔性衬底薄膜太阳电池制备的衬底支撑装置。它是由框形底座，凹槽，框形压板，螺丝和不锈钢柱组成，框形底座对应的两侧有凹槽，不锈钢柱放置在凹槽内匹配，框形压板放置在框形底座上面，框形底座与框形压板对应，并且分别设置螺孔，螺丝插入螺孔固定框形底座和框形压板，框形内挖空面积处是薄膜衬底工作面。用不锈钢柱将抻紧的有机柔性薄膜边缘挤进底座的凹槽中，用压板将不锈钢柱压住并拧紧螺丝，即实现对有机柔性薄膜的夹持，使其展平固定，以便在其上进行薄膜沉积和器件制造。
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