公开(公告)号：CN100516285C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710150785.0

申请日：2007-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  隋妍萍 ,  陶科 ,  薛颖 ,  席强 ,  姜元建 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵敬芳 ,  王林申 ,  孙云

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

公开(公告)号：CN101177777A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710150785.0

申请日：2007-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  隋妍萍 ,  陶科 ,  薛颖 ,  席强 ,  姜元建 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵敬芳 ,  王林申 ,  孙云

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

公开(公告)号：CN102142469A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010569066.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  张德贤 ,  胡居涛 ,  陶科 ,  赵静芳 ,  王林申 ,  靳果 ,  谢珂

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/20 ,  C23C16/44 ,  C23C16/22

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明通过改变碳掺杂比例的优化研究，控制材料的光电性能和结构特性，利用碳原子引入可增大硅薄膜带隙的效应来得到高电导、宽带隙的P型微晶硅碳。本发明的效益是：将这种宽带隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中并结合优化的p/i缓冲层，可显著增强薄膜电池的内建电场，提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅薄膜太阳电池。