公开(公告)号：CN103560155A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310550504.6

申请日：2013-11-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙云 ,  刘一鸣 ,  戴小宛 ,  夏天宇 ,  蔡鸿琨

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0747 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/022475

Abstract: 一种基于晶体硅材料的化合物半导体异质结太阳电池，由栅电极、透明导电层、p型化合物半导体薄膜、n型或p型晶体硅片、n型化合物半导体薄膜、透明导电层和栅电极依次组成并构成叠层结构，其中在n型或p型晶硅片的两面腐蚀有减反织构面，受光面p型或n型化合物半导体薄膜材料禁带宽度>1.7eV，p型化合物半导体薄膜的电子亲和势 5.5eV。本发明的优点：该太阳电池通过综合选取化合物异质结材料，降低了异质结界面处的复合，有利于太阳电池开路电压提高，能够进一步降低晶硅界面处的少子复合，改善界面载流子输运，增加光生电流，提升太阳电池的光电转换效率。