公开(公告)号：CN110783533B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201911069350.2

申请日：2019-11-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 王维华 ,  吴茂坤 ,  卢峰 ,  刘晖 ,  程雅慧 ,  王卫超 ,  董红

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/38

Abstract: 金属卤化物为保护层的金属电极保护方法，所述的金属卤化物为MX3，所述的金属电极为碱金属电极或碱土金属电极，其特征在于，用二维材料MX3为保护层，对金属电极进行保护，所述保护层嵌入金属电极表面。

公开(公告)号：CN104009153B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410242631.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN104923261A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510246053.6

申请日：2015-05-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 王卫超 ,  刘晖 ,  董红 ,  解新建 ,  刘孟寅

IPC: B01J27/04 ,  C01B3/04 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02E60/364 ,  Y02W10/37

Abstract: 本发明提供一种延长CdS纳米光催化剂寿命的方法，该方法的特征在于采用原子层沉积技术在水热合成的CdS纳米颗粒表面沉积了一层1-10A的保护层(TiO2、ZnO、Al2O3、AZO等)。在保证较高催化效率的前提下，有效的减少光腐蚀的发生，将CdS纳米颗粒的光催化寿命从1小时延长到18个小时以上。该制备方法有效的减少了光腐蚀对CdS纳米粒子的破坏，延长了CdS纳米粒子的催化寿命。

公开(公告)号：CN101521085B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810153328.1

申请日：2008-11-25

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  程雅慧

IPC: H01L43/06 ,  H01F10/18 ,  H01F41/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的氮化铁薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶氮化铁薄膜磁敏材料的通式为FexN，其中x为材料中的铁原子与氮原子的原子个数比，2

公开(公告)号：CN116159583B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202310176332.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  靳昊坤 ,  刘晖

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04 ,  C01B21/082

Abstract: 一种混合酸处理三聚氰胺制备g‑C3N4光催化剂的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：1)取质量体积比范围为150g/L～252g/L的三聚氰胺和水混合获得混悬液Ⅰ，2)将混合酸中的第一种酸与混悬液Ⅰ混合后搅拌20min～60min，重复该步骤至混合酸中的全部酸加入并完成混合搅拌后获得混悬液Ⅱ；将混悬液Ⅱ干燥，研磨，获得改性三聚氰胺，所述混合酸选自硝酸、硫酸、磷酸中的至少两种；3)将步骤2)获得的改性三聚氰胺放入坩埚后置于加热装置中，隔绝空气加热，以4℃/min～5℃/min的升温速度升至500℃～550℃并维持3.5h～5h，待自然冷却至室温后取出并研磨，获得改性的g‑C3N4光催化剂。

公开(公告)号：CN115805092B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202211459090.1

申请日：2022-11-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  靳昊坤 ,  刘晖

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/03 ,  B01J37/34 ,  C07C45/38 ,  C07C47/54

Abstract: 一种g‑C3N4/Ag/AgCl/ZnO复合光催化剂的制备方法及产品，制备方法包括以下步骤：1）用光还原法将Ag生长在C3N4上获得g‑C3N4/Ag：2）采用化学沉淀法将AgCl/Ag沉积在步骤1）获得的g‑C3N4/Ag上，获得g‑C3N4/Ag/AgCl复合光催化剂，3）采用吸附法将ZnO沉积在步骤2）获得的g‑C3N4/Ag/AgCl上，获得g‑C3N4/Ag/AgCl/ZnO复合光催化剂。

公开(公告)号：CN117230419A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311263678.4

申请日：2023-09-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  陈菲菲 ,  刘晖

IPC: C23C14/35 ,  C25B11/091 ,  C25B1/04 ,  C25B11/061 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C8/10

Abstract: 一种电解水产氢催化剂的制备方法及产品，所述制备方法步骤如下：1）固定衬底，固定Ni靶材；2）对磁控溅射沉积系统的真空腔室抽真空，使压强小于5×10‑5 Pa；3）向真空腔室中充入Ar气，充入Ar气的流量为2~5 sccm，保持腔室气压为0.8×10‑2 Pa~2.0×10‑2 Pa，进行预溅射；4）打开基片挡板，控制溅射时间为50 min~130 min，得到Ni薄膜样品；5）向真空腔室中充入纯度大于99.999%的高纯O2，充入O2的流量为2~5 sccm，持续时间为5 min~20 min，得到Ni基的电解水产氢催化剂。

公开(公告)号：CN110860298B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201911199059.7

申请日：2019-11-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  张瑞 ,  程雅慧 ,  孙兴军

IPC: B01J23/89 ,  C02F1/30

Abstract: 金属/多晶面Cu2O复合可调控光催化剂及其制备方法，于所述光催化剂采用化学沉淀法和光还原法相结合制备，制备方法具体步骤如下：1)采用化学沉淀法制备多晶面Cu2O颗粒，2)采用光还原法将金属生长于步骤1)得到的多晶面Cu2O颗粒表面，得到金属/多晶面Cu2O复合可调控光催化剂。

公开(公告)号：CN109860061A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910059719.5

申请日：2019-01-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 王维华 ,  吴茂坤 ,  卢峰 ,  刘晖 ,  程雅慧 ,  王卫超 ,  董红 ,  解新建

IPC: H01L21/383 ,  H01L21/40

Abstract: 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX3(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX3为缓冲层，以卤族元素原子、碱金属原子或碱土金属原子为掺杂原子。

公开(公告)号：CN104009152B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410242513.3

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅 ,  王卫超 ,  王维华 ,  卢峰

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。