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公开(公告)号：CN116435405A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310197388.8
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器的制备方法，包括：利用气相外延法在p+型衬底表面依次生长本征层、场控层、倍增层；在倍增层表面注入磷离子得到n+型欧姆接触层，形成工作区；工作区包括本征层、场控层、倍增层和n+型欧姆接触层；对工作区进行刻蚀，使其在p+型衬底表面形成台面；在台面的表面生长钝化层；在钝化层中形成上端电极；在p+型衬底背面形成下端电极。该方法通过气相外延法连续生长本征层、场控层、倍增层，有效保证工作区的均一性，提高器件的整体性能；且该方法通过刻蚀台面有效降低相邻器件间的串扰，简化雪崩光电探测器的结构，易于制备。
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公开(公告)号：CN116247118B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN116314394A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310271019.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件研究及光电子材料领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的第一缓冲层，第二缓冲层，第一欧姆接触层，吸收层，电子势垒层以及第二欧姆接触层；其中，第一缓冲层采用In组分渐变的InxAl1‑xAs组成；第二缓冲层采用多组周期交替层叠生长的InyAl1‑yAs层和InyGa1‑yAs层组成；电子势垒层采用AlGaAsSb制成。本公开降低了由于高In组分吸收层和衬底之间较大晶格失配带来的位错密度，减少了吸收层中的缺陷，提高了吸收层的结晶质量，同时，采用AlGaAsSb作为电子势垒层有效提高了光生载流子的输运和收集效率。
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公开(公告)号：CN119855259A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411790055.7
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F30/225 , H10F30/29 , H10F71/00 , H10F77/124 , H10F77/12
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器和光电子材料技术领域，该雪崩光电探测器自下而上依次包括：InP衬底、第一欧姆接触层、缓冲层、倍增层、电荷控制层、渐变层、吸收层、第二欧姆接触层以及包层；其中，倍增层采用AlGaAsSb制成；渐变层采用Al组分渐变、In的组分保持不变的InxAlyGa1‑x‑yAs制成；吸收层采用多组周期交替层叠生长的InxGa1‑xAs和GaAsySb1‑y制成。本发明可以实现拓展波长的短波红外探测和较高的信噪比，并有效减少带隙差异引起的载流子捕获，减少界面处的晶格应变，从而降低缺陷密度，优化载流子从吸收层到倍增层的注入效率，因而提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118673718A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410849447.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种多层光学增透膜处理方法，包括：获取多个初始多层光学增透膜，其中，每一初始多层光学增透膜通过PECVD进行生长，每一初始多层光学增透膜包括多个第一参数与对应于PECVD生长的第二参数；基于第一参数与第二参数，确定每一初始多层光学增透膜的第三参数；基于每一初始多层光学增透膜的第三参数适应度值，得到多个第一中间多层光学增透膜；根据遗传算法，对多个第一中间多层光学增透膜中的部分第一中间多层光学增透膜进行交叉与变异操作，得到多个第二中间多层光学增透膜；将多个第二中间多层光学增透膜与未经交叉与变异操作的第一中间多层光学增透膜进行多次迭代计算，得到目标多层光学增透膜；对目标多层光学增透膜进行误差监测。
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公开(公告)号：CN116859676A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310590000.0
申请日：2023-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种具有深台面结构的晶圆片的光刻方法，包括：在具有深台面结构的晶圆片表面匀涂光刻胶；对匀涂过光刻胶的晶圆片进行预烘；对预烘的晶圆片依次进行完成第一次曝光、第一次显影、第二次曝光以及第二次显影，以减弱曝光时的边缘衍射效应；其中，第一次曝光和第二次曝光的剂量相同；刻蚀待刻蚀区域；去除光刻胶，完成光刻。本公开经过二次曝光，减弱曝光时的边缘衍射效应，解决晶圆片的深台面边缘处光刻胶较薄的问题；采用稀释后的显影液，抑制显影液的减薄效果，保障深台面边缘处光刻胶的保护性；在预烘过程中，采用先低温恒温减少深台面边缘处光刻胶的收缩，再线性升高温度使得光刻胶粘附性更好的同时也能实现快速挥发。
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公开(公告)号：CN116072755B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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公开(公告)号：CN116247118A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN116072755A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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