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公开(公告)号：CN111697115A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910201508.0
申请日：2019-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相沉积技术在石墨烯上进行氮化物纳米结构生长，通过改变压强、温度、反应物浓度等参数获得分布均匀、取向一致的纳米结构材料；在氮化物纳米结构的基础上进行薄膜生长，通过改变压强、温度、反应物浓度等参数使得反应物横向合并生长，形成连续的氮化物薄膜；进行器件结构设计及工艺制备。本发明提出的非晶衬底的氮化物结构及其制备方法，能够在非晶衬底上制备出氮化物光电子器件，降低生产成本，拓展其应用范围。
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公开(公告)号：CN104617202A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510017329.3
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为的金属氧化物导电薄膜；一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。本发明可以增加透射率，提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102544271A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075703.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一氮化镓成核层；步骤5：第二次退火；步骤6：在氮化镓成核层上依次生长非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有较大的工艺生长窗口。
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公开(公告)号：CN101114682A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610088943.X
申请日：2006-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一n型下限制层，该n型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在n型下限制层之上；一p型上限制层，该p型上限制层制作在有源层之上，提供载流子限制作压；一窗口层，该窗口层键合在p型上限制层之上，以促进电流扩展和提高光提取率；一p型金属电极，该p型金属电极与GaP窗口层形成良好的欧姆接触；一n型金属电极，该n型金属电极制作在反射器的下面。
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公开(公告)号：CN115498073A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110674980.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113394076A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110650580.9
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , C01B32/194
Abstract: 本发明提出了一种氮化物生长方法，包括：准备一衬底；在所述衬底上制作石墨烯缓冲层；将所述石墨烯缓冲层进行图形化，得到图形化石墨烯缓冲层；在所述图形化石墨烯缓冲层上生长氮化物，得到生长完成的氮化物。该方法生长的氮化物可以极大的释放应力，同时图形化的石墨烯可以保证有裸露的衬底对外延生长的氮化物起到很好的调控作用，获得晶体质量较好的外延材料，解决氮化物异质外延的晶格大失配问题，减小器件的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN111816729B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910297009.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/167 , H01L31/18
Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
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公开(公告)号：CN111816729A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910297009.6
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/167 , H01L31/18
Abstract: 一种LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及其制备方法，该器件通过在UVA波段LED上生长垂直ZnO纳米线阵列，顶端通过石墨烯作为电流扩展层来制作电极。其中LED的N电极作为晶体管栅极，ZnO纳米线阵列一端作为源极，LED的P电极即LED与ZnO异质结界面作为漏极，通过栅极电压大小调节LED发光功率，进一步调控ZnO纳米线阵列的光电导大小。本发明利用ZnO纳米线阵列对近紫外光优良的光敏特性，使LED与ZnO纳米线阵列进行集成，实现了GaN基的光电互联，从而获得了光电集成晶体管芯片。
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公开(公告)号：CN103943739A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L2933/0025
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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公开(公告)号：CN103943738A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在金属电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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