公开(公告)号：CN1796604A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410101890.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  姜磊 ,  白云霞 ,  王莉

IPC: C23F1/16

Abstract: 一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。

公开(公告)号：CN102623307B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201210088596.6

申请日：2012-03-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 付英春 ,  王晓峰 ,  张加勇 ,  白云霞 ,  梁秀琴 ,  马慧莉 ,  季安 ,  杨富华

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。

公开(公告)号：CN102602880B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210077661.5

申请日：2012-03-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 付英春 ,  王晓峰 ,  张加勇 ,  白云霞 ,  梁秀琴 ,  马慧莉 ,  季安 ,  杨富华

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一功能材料层形成条形结构；淀积第二功能材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光，在条形的光刻胶掩模结构上部，制备出纳米量级的条形胶条，该条形胶条垂直并跨越条形光刻胶掩模；用该条形胶条做掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的表面；去除光刻胶掩模，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层，使第二功能材料层下方形成一个悬空结构；干法刻蚀去除条形胶条下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，完成制备。

公开(公告)号：CN102602880A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210077661.5

申请日：2012-03-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 付英春 ,  王晓峰 ,  张加勇 ,  白云霞 ,  梁秀琴 ,  马慧莉 ,  季安 ,  杨富华

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一功能材料层形成条形结构；淀积第二功能材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光，在条形的光刻胶掩模结构上部，制备出纳米量级的条形胶条，该条形胶条垂直并跨越条形光刻胶掩模；用该条形胶条做掩模，干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的表面；去除光刻胶掩模，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层，使第二功能材料层下方形成一个悬空结构；干法刻蚀去除条形胶条下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，完成制备。

公开(公告)号：CN105174209A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510326079.1

申请日：2015-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 毛旭 ,  赵永梅 ,  杨香 ,  黄亚军 ,  季安 ,  白云霞 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: B81C3/00

Abstract: 一种晶圆级光刻机键合方法，包括如下步骤：制作第一带通孔晶圆；取一第一支撑片，在支撑片上面的侧边制作第一保护片；在第一保护片上粘接第一带通孔晶圆，形成下底片；制作第二带通孔晶圆；取一第二支撑片，在第二支撑片上面的侧边制作第二保护片；在第二保护片上粘接第二带通孔晶圆，形成上盖片；在下底片上面的侧边制作键合材料层；通过光刻机将上盖片和下底片对准扣置，使第一带通孔晶圆和第二带通孔晶圆相对键合；去除下底片中的第一支撑片和第一保护片；去除上盖片中的第二支撑片和第二保护片，加热固化，完成键合。本发明通过在光刻机中实现带通孔圆片键合，提高了对准精度。该方法具有工艺简单和成本低的优势。

公开(公告)号：CN102623307A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210088596.6

申请日：2012-03-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 付英春 ,  王晓峰 ,  张加勇 ,  白云霞 ,  梁秀琴 ,  马慧莉 ,  季安 ,  杨富华

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条，并跨越由第一功能材料层；干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面；腐蚀去除牺牲材料层，暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层；超声-剥离，制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。

公开(公告)号：CN1808707A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510004572.8

申请日：2005-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  王建林 ,  伊小燕 ,  马龙 ,  白云霞 ,  姜磊

IPC: H01L21/822

Abstract: 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；在高电子迁移率晶体管台面上，进行高电子迁移率晶体管的源极、漏极以及共振遂穿二极管下电极的金属欧姆接触制作，然后进行退火；在共振遂穿二极管的上表面进行金属欧姆接触制作发射极，然后退火；腐蚀出栅槽，当源漏极出现饱和电流时，停止腐蚀；用分子束蒸发在隔离沟内制作栅极；制作第一空气桥空和第二气桥，把共振遂穿二极管和高电子迁移率晶体管相互连接起来。