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公开(公告)号：CN108573989B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810408181.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法，硅基雪崩光电探测器阵列的器件主体结构为在SiO2/Si复合衬底上形成有外延Si层的晶片结构，该晶片结构是通过键合技术而形成的外延Si/SiO2/Si材料结构，基于该晶片结构的硅基雪崩光电探测器阵列包括：SiO2/Si复合衬底；雪崩光电探测器(APD)单元，其在SiO2/Si复合衬底上呈阵列状排布；沟槽结构，其围绕APD单元形成；其中，沟槽结构的侧壁面和底部均淀积高反介质膜。由此，通过沟槽结构的高反介质膜阻挡邻近APD单元间的侧向光串扰，通过基于SiO2/Si复合衬底的SiO2键合界面阻挡二次光子经由衬底进入邻近APD，从而有效截断了APD单元间的串扰路径，不仅APD阵列的整体性能提升，而且有利于大面阵的APD阵列的紧凑集成而提高量产性。
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公开(公告)号：CN105405793A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510896680.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67011
Abstract: 本发明公开了一种均匀轴向力承片装置，包括：一片状下施力盖板(10)；一片状下承接托(11)，上表面沿以下承接托(11)的中心为圆心的圆周均匀分布有多个孔，并位于下施力盖板(10)之上；一片状上施力托(14)，与下承接拖(11)的所述多个孔相对应地分布有多个孔，并位于下承接托之上；其中在下承接托(11)和上施力托(14)之间通过多个定向柱(15)插置在相对应的孔中实现连接，在下承接托(11)和上施力托(14)之间还设置有一对上下叠置的保护陪片(16)；一平凸透镜(17)，其平面与上施力托相对地位于上施力托(14)之上；以及一上施力盖板(18)，上施力盖板(18)为片状，位于平凸透镜(17)之上。
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公开(公告)号：CN116314394A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310271019.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器件研究及光电子材料领域，其包括衬底，依次叠设于衬底上的第一缓冲层，第二缓冲层，第一欧姆接触层，吸收层，电子势垒层以及第二欧姆接触层；其中，第一缓冲层采用In组分渐变的InxAl1‑xAs组成；第二缓冲层采用多组周期交替层叠生长的InyAl1‑yAs层和InyGa1‑yAs层组成；电子势垒层采用AlGaAsSb制成。本公开降低了由于高In组分吸收层和衬底之间较大晶格失配带来的位错密度，减少了吸收层中的缺陷，提高了吸收层的结晶质量，同时，采用AlGaAsSb作为电子势垒层有效提高了光生载流子的输运和收集效率。
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公开(公告)号：CN111987585B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910443247.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层，设置于所述P型层下表面；N型层，设置于所述量子阱有源层下表面；以及，硅波导结构，设置于所述III‑V族有源结构之下，用于与所述III‑V族有源结构共同形成光学谐振腔和激光输出波导。
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公开(公告)号：CN113629159A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110905573.9
申请日：2021-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅红外增强倏逝波耦合雪崩光电探测器及制备方法，该探测器包括：SOI晶片；脊形单模传输波导；吸收层，具有缺陷能级，外延形成于单模传输波导上；波导与吸收层之间通过倏逝波进行光的耦合；倍增层，形成于吸收层中；P型电极接触层，形成于倍增层中；N型电极接触层，形成于吸收层的除倍增层以外的区域中；P型和N型电极，形成于P型和N型电极接触层上。本发明利用离子注入在吸收层硅上形成缺陷能级，可提高其在红外2‑3μm波段的吸收；利用倏逝波耦合方式，解决响应速度和量子效率之间的矛盾；利用缺陷硅及其垂直的雪崩探测器结构，提高器件的量子效率；易于与硅基CMOS器件集成，可促进硅探测器在红外波段的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103199156A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310109012.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种InSb晶片与Si晶片键合的方法。该方法包括：步骤A，将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗，而后用去离子水清洗；步骤B，将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤C，将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤E，将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合，而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理，以完成InSb晶片和Si晶片的键合。本发明InSb晶片与Si晶片键合的方法工艺简单，具有较强的实用性。
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公开(公告)号：CN101882638B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010196135.1
申请日：2010-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，包括：一下电极；一N型材料层，该N型材料层制作在下电极上；一第一TCO薄膜层，该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上；一第二TCO薄膜层，该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上；一P型材料层，该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上；一上图形电极，该上图形电极制作在P型材料层上。
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公开(公告)号：CN102110595B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010595707.3
申请日：2010-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水气；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。
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公开(公告)号：CN102321920A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110241438.5
申请日：2011-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B30/00
Abstract: 本发明涉及晶体材料处理技术领域，公开了一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法，包括：在铁电晶体材料上施加高脉冲电压，将该铁电晶体材料极化为周期性反转铁电晶体；以及对该周期性反转铁电晶体进行切割、抛光和对准键合，完成大厚度周期极化铁电晶体材料的制备。利用本发明可制备出大厚度的周期极化铁电晶体材料。
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公开(公告)号：CN101677057B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810222336.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理；步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4：对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理；步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。
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