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公开(公告)号：CN103943739A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L2933/0025
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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公开(公告)号：CN103943738A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在金属电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN114650634A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210199434.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED模组，包括：若干紫外LED模块、基板、匀光薄膜、变阻器、定时开关和电源，若干紫外LED模块设在基板上，匀光薄膜覆盖若干紫外LED模块，紫外LED模块与变阻器、定时开关和电源电连，变阻器电阻可调以便调节紫外LED模块的光强，定时开关用于控制紫外LED模块的开启和关断时间。本发明提供的紫外LED模组将多个紫外LED模块组装在一起，紫外LED模组通过设置变阻器实现光强可调，通过设置定时开关实现开启和关断时间可调，提高了紫外LED的应用价值。
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公开(公告)号：CN103943738B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在N电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113175629A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110456529.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21K9/238 , F21K9/64 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供了一种基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统，包括：温控基板，温控基板内部设置有多根电极；至少一个激光器，安装在温控基板上，通过电极实现与温控基板的电连接；钙钛矿量子点荧光发光面板，设置于至少一个激光器的上部，钙钛矿量子点荧光发光面板与至少一个激光器之间具有预设间隔，以便调整至少一个激光器的光束方向；其中，钙钛矿量子点荧光发光面板包括钙钛矿量子点荧光粉。
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公开(公告)号：CN115579444A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211264050.1
申请日：2022-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48 , H01L33/58 , H01L25/075 , H01L33/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED模组封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括：封装支架，封装支架包括基板和具有嵌入槽的金属围坝；至少一个紫外LED芯片，封装在基板上；盖板，盖板包括具有预设突出结构的盖板两端和具有平板结构的平面部分，具有预设突出结构的盖板两端与具有嵌入槽的金属围坝嵌入连接；其中，盖板两端的预设突出结构与金属围坝的嵌入槽的结构对应，以便盖板与金属围坝嵌入连接；盖板的具有平板结构的平面部分的下表面具有微纳图形化结构。
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公开(公告)号：CN103943739B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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公开(公告)号：CN109825875A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910240350.8
申请日：2019-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B23/00
Abstract: 载气辅助PVT法制备宽禁带半导体单晶材料的装置及方法，装置包括：坩埚(1)，其是由坩埚壁(6)组成的封闭容器，坩埚壁(6)包括透气部分与不透气部分，其中，坩埚(1)内的底部设置有源材料区(7)，用于放置源材料；石墨加热体(2)，包围坩埚(1)，并与坩埚(1)底部相接触，用于加热坩埚(1)以使得源材料升华，得到气相源材料；进气管道(3)与排气管道(4)，用于控制坩埚(1)内的饱和蒸气压在预设范围内；籽晶(5)，设置在坩埚(1)内的顶部，当坩埚(1)内的饱和蒸气压在预设范围内时，气相源材料在籽晶(5)上生长单晶体。通过载气输运气相源材料和掺杂元素，抑制了单晶体生长过程中的二次形核，实现了材料掺杂。
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公开(公告)号：CN104051587A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410276182.5
申请日：2014-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 一种表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长n型InAlGaN层、非掺杂或掺杂的多量子阱层、p型InAlGaN层和电流扩展层；步骤2：利用光刻和干法刻蚀工艺在电流扩展层上向下刻蚀，刻蚀深度到达n型InAlGaN层内，使其形成GaN基LED结构纳米孔阵列；步骤3：在电流扩展层上面、在GaN基LED结构纳米孔阵列的一侧的一部分向下刻蚀，刻蚀深度大于GaN基LED结构纳米孔阵列的纳米孔的深度，形成台面；步骤4：利用光刻、蒸发和带胶剥离工艺，在电流扩展层的一部分上表面制作p电极；步骤5：在台面上制作n电极；步骤6：在GaN基LED结构纳米孔阵列的纳米孔中填入多个外表面包覆有非导电膜的球形金属纳米颗粒，形成核壳金属纳米球层，完成制备。
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