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公开(公告)号：CN103943739A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L2933/0025
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943738A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在金属电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN102969422A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210548494.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进行粗化处理；刻蚀，形成台面；在台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；在一基板上依次制作一绝缘层和电路层；在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；在暴露的电路层制作一层反光层；采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。
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公开(公告)号：CN103943738B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410184117.X
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO2层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍塌为半球型并固定在SiO2图形的上表面上；去除图形中的SiO2层的部分；在SiO2层的上表面蒸镀反光金属薄膜，并电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方微纳米半球形成的曲面，完成制备。本发明是在N电极正下方的特定区域制作反光曲面抑制电极对光的吸收，可以提高器件的出光效率。
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公开(公告)号：CN102969422B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210548494.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进行粗化处理；刻蚀，形成台面；在台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；在一基板上依次制作一绝缘层和电路层；在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；在暴露的电路层制作一层反光层；采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。
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公开(公告)号：CN103943739B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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