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公开(公告)号：CN1888146A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510012053.6
申请日：2005-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼(B2O3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留B2O3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。
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公开(公告)号：CN104505442B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410822161.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管芯切裂过程中，裂片力道均匀，无同排管芯位移不一致的现象，提高了裂片质量。
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公开(公告)号：CN104505442A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410822161.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管芯切裂过程中，裂片力道均匀，无同排管芯位移不一致的现象，提高了裂片质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104451605A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410818493.X
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C30B25/12
CPC classification number: C23C16/458 , C30B25/12
Abstract: 本发明公开了一种用于MOCVD设备的托盘，包括盘体(10)和覆盖于盘体的该上表面的托盖(20)，盘体(10)呈一扁圆柱形，其上表面为平整面。盘体可由石墨材料形成，上表面覆盖有一层碳化硅保护层托盖的上表面设置有凹槽，所述凹槽(21)用于容纳进行MOCVD工艺的衬底。托盖可由石英材料形成。本发明具有改善MOCVD设备中的石墨托盘的使用寿命及其适用性，使之能适用于不同尺寸、形状的衬底优点。
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公开(公告)号：CN1888126A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510012052.1
申请日：2005-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升温、恒温、降温，将高含水B2O3脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层，形成B2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN104051584A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410289596.1
申请日：2014-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , B24B1/00 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 一种蓝宝石图形衬底制备方法，包括如下步骤：步骤1：对蓝宝石切割片进行双面研磨，形成蓝宝石粗磨晶片；步骤2：对所述蓝宝石粗磨晶片进行单面精密研磨，形成蓝宝石精磨晶片；步骤3：在所述未经精抛的蓝宝石精磨晶片上直接形成刻蚀图形化结构，所述刻蚀图形化结构与蓝宝石精磨晶片上的粗化表面共同提高蓝宝石图形衬底光提取效率。本方法的制备工艺及设备和传统的蓝宝石图形化衬底片的制备工艺及设备完全兼容，易于实现。使用本发明制备的蓝宝石图形化衬底片和传统的蓝宝石图形化衬底片相比，成本降低百分之十以上。
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公开(公告)号：CN103489752A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310444715.1
申请日：2013-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C30B25/18 , B28D5/04 , C30B29/16 , C30B29/60 , C30B29/64 , C30B29/66 , C30B33/00 , H01L22/20 , H01L2223/54493
Abstract: 一种截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法，包括如下步骤：步骤1：在截面为多边形的晶棒上，选取一个平行于晶棒轴向的柱面作为表面取向标识的第一特征；步骤2：在具有第一特征的柱面上沿着晶棒轴向平行于棱边制做一个微型沟槽，作为表面取向标识的第二特征，将晶棒切片，制作成多边形衬底片；步骤3：利用第一特征和第二特征的组合，对多边形衬底片的表面取向进行标识，完成对晶棒及衬底片表面取向的标识。本发明具有简单可靠、易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN100387759C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510012053.6
申请日：2005-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器。方法过程如下：采用的温控设备和加热炉体用于对生长完的晶锭与PBN坩埚进行升温、恒温、降温；根据三氧化二硼(B2O3)的特性，温度降至室温，在晶锭和坩埚壁间依然会有残留，所以取出晶锭和坩埚，放入盛有甲醇的超声波发生器箱体内，进行超声处理，即可去除残留B2O3，顺利分离晶锭与PBN坩埚。
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