公开(公告)号：CN1796604A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410101890.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  姜磊 ,  白云霞 ,  王莉

IPC: C23F1/16

Abstract: 一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。

公开(公告)号：CN1808707A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510004572.8

申请日：2005-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  王建林 ,  伊小燕 ,  马龙 ,  白云霞 ,  姜磊

IPC: H01L21/822

Abstract: 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；在高电子迁移率晶体管台面上，进行高电子迁移率晶体管的源极、漏极以及共振遂穿二极管下电极的金属欧姆接触制作，然后进行退火；在共振遂穿二极管的上表面进行金属欧姆接触制作发射极，然后退火；腐蚀出栅槽，当源漏极出现饱和电流时，停止腐蚀；用分子束蒸发在隔离沟内制作栅极；制作第一空气桥空和第二气桥，把共振遂穿二极管和高电子迁移率晶体管相互连接起来。

公开(公告)号：CN101064275A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610076521.0

申请日：2006-04-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  黄应龙

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84

Abstract: 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。

公开(公告)号：CN100495682C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610076521.0

申请日：2006-04-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  黄应龙

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84

Abstract: 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。