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公开(公告)号：CN114650634A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210199434.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED模组，包括：若干紫外LED模块、基板、匀光薄膜、变阻器、定时开关和电源，若干紫外LED模块设在基板上，匀光薄膜覆盖若干紫外LED模块，紫外LED模块与变阻器、定时开关和电源电连，变阻器电阻可调以便调节紫外LED模块的光强，定时开关用于控制紫外LED模块的开启和关断时间。本发明提供的紫外LED模组将多个紫外LED模块组装在一起，紫外LED模组通过设置变阻器实现光强可调，通过设置定时开关实现开启和关断时间可调，提高了紫外LED的应用价值。
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公开(公告)号：CN114420559A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210061899.2
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L33/00 , H01L33/36
Abstract: 本公开提供了一种p型GaN欧姆接触的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、重掺杂Mg的p型GaN层后，经过一次退火处理得到第一样品；将第一样品进行激光退火处理后，进行清洗，得到第二样品；对第二样品的表面首先进行光刻形成金属图形，接着依次蒸镀第一金属层、第二金属层，然后剥离多余的第一金属层和第二金属层，得到第三样品；将第三样品进行二次退火处理，形成欧姆接触。其中，激光退火处理使得p型GaN层表面的Mg杂质形成一定的聚集，同时通过打破Mg‑H键，降低H原子浓度，增大空穴浓度，从而降低了p型GaN的接触电阻率，改善了p型GaN与金属的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103528802B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN103529310B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310459347.8
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。
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公开(公告)号：CN103325901A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310193970.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面。本发明可以独立于材料生长过程和干法刻蚀过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103280500A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310193969.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法，该方法包括：步骤1：在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层；步骤2：在Al2O3层上制备纳米颗粒模板；步骤3：利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列；步骤4：去掉纳米颗粒模板；步骤5：在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列，用于对纳米柱阵列进行平面化处理，得到样品；步骤6：利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀，刻蚀深度达到LED外延片的表面；步骤7：利用湿法腐蚀掉Al2O3层；步骤8：从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀，刻蚀深度小于LED外延片的厚度，在LED外延片的一侧形成台面；步骤9：利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术，在LED外延片的表面制备p电极，在台面上制备n电极。
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公开(公告)号：CN102623590A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210101763.6
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：取一衬底；在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，形成基片；在基片的p-GaN层上生长中间层；在中间层生长纳米图形层；以纳米图形层作掩膜，采用ICP-RIE的方法，刻蚀中间层；以刻蚀后的中间层作掩膜，采用ICP-RIE的方法，刻蚀基片上的p-GaN层、量子阱层和部分n-GaN层，形成纳米图形化的结构；并去除纳米图形层和中间层，形成图形化的基片；在图形化的基片上均匀地旋涂上绝缘层，并去除表面的绝缘层；将图形化的基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；在图形化的基片的上面制作p-GaN电极；在台面上制作n-GaN电极，完成发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN1978713A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126238.X
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生 长。
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公开(公告)号：CN113175629A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110456529.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21K9/238 , F21K9/64 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供了一种基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统，包括：温控基板，温控基板内部设置有多根电极；至少一个激光器，安装在温控基板上，通过电极实现与温控基板的电连接；钙钛矿量子点荧光发光面板，设置于至少一个激光器的上部，钙钛矿量子点荧光发光面板与至少一个激光器之间具有预设间隔，以便调整至少一个激光器的光束方向；其中，钙钛矿量子点荧光发光面板包括钙钛矿量子点荧光粉。
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公开(公告)号：CN109461644B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811255896.2
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件，其中，透明单晶AlN的制备方法包括：在PVT法生长的AlN单晶衬底上生长一层牺牲层，该牺牲层为：导电的多孔结构、热应力自分解的多孔结构或者低温生长得到的多晶缓冲层；在牺牲层上通过HVPE法生长单晶AlN；以及通过电化学腐蚀或激光剥离将牺牲层去除，或者直接利用热应力使牺牲层实现自分离，得到分离开的PVT法生长的AlN单晶衬底和HVPE法生长的单晶AlN。只需要对较薄的牺牲层进行简单去除，快速有效，同时避免了CMP带来的氧化问题，且PVT法生长的AlN单晶衬底得以保留，实现回收利用，有效降低了透明单晶AlN衬底材料的制作成本。而HVPE法生长的单晶AlN在紫外波段透射率高，更适合于制备紫外发光器件。
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