公开(公告)号：CN116978974A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310919617.2

申请日：2023-07-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李智勇 ,  殷煜翔 ,  于航 ,  涂东河 ,  于治国 ,  关欢 ,  田立飞 ,  姜磊

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232

Abstract: 提供一种氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器，包括：衬底，介质层，探测器层，覆盖层，电极单元。介质层形成于衬底上；探测器层形成于介质层上并被覆盖层包覆，探测器层包括：氮化硅波导，用于低损耗传输光信号；椭圆谐振腔，设置于氮化硅波导旁，用于对由氮化硅波导耦合入的光信号进行相长干涉和滤波，椭圆谐振腔的长轴方向与氮化硅波导平行；以及椭圆探测器，设置于椭圆谐振腔的一侧并与该椭圆谐振腔对齐级联，用于将经椭圆谐振腔处理后的光信号转换为电信号；椭圆探测器的长轴与氮化硅波导平行，椭圆探测器包括有第一掺杂区和第二掺杂区；电极单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别由第一掺杂区和第二掺杂区延伸至覆盖层表面。

公开(公告)号：CN1796604A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410101890.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  姜磊 ,  白云霞 ,  王莉

IPC: C23F1/16

Abstract: 一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。

公开(公告)号：CN116859623A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310878269.9

申请日：2023-07-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李智勇 ,  于航 ,  殷煜翔 ,  涂东河 ,  关欢 ,  于治国 ,  姜磊

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/015

Abstract: 本公开提供了一种电光调制器，包括调制器主体和均衡电路；均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第一N型掺杂区连接第一电极和信号输入端，第一P型掺杂区连接第二电极和电极臂，第一电极和第二电极用于接收反向偏置的第一控制电压；以及第二掺杂半导体，包括第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，第二N型掺杂区的第一端和第二P型掺杂区的第一端均连接信号输入端，第二N型掺杂区的第二端和P型掺杂区的第二端均连接电极臂，第二P型掺杂区的第一端还连接第三电极，第二N型掺杂区的第二端还连接第四电极，第三电极和第四电极用于接收第二控制电压。

公开(公告)号：CN1808707A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510004572.8

申请日：2005-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄应龙 ,  杨富华 ,  王良臣 ,  王建林 ,  伊小燕 ,  马龙 ,  白云霞 ,  姜磊

IPC: H01L21/822

Abstract: 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；在高电子迁移率晶体管台面上，进行高电子迁移率晶体管的源极、漏极以及共振遂穿二极管下电极的金属欧姆接触制作，然后进行退火；在共振遂穿二极管的上表面进行金属欧姆接触制作发射极，然后退火；腐蚀出栅槽，当源漏极出现饱和电流时，停止腐蚀；用分子束蒸发在隔离沟内制作栅极；制作第一空气桥空和第二气桥，把共振遂穿二极管和高电子迁移率晶体管相互连接起来。

公开(公告)号：CN119335766A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202310890946.9

申请日：2023-07-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李智勇 ,  涂东河 ,  于航 ,  殷煜翔 ,  黄星瑞 ,  关欢 ,  于治国 ,  姜磊

IPC: G02F1/03 ,  H01L25/16 ,  G01V3/00 ,  G01V8/10 ,  G02F1/35

Abstract: 本公开提供一种调制探测器件，包括底部模组，底部模组包括薄膜铌酸锂层，薄膜铌酸锂层上设置有：输入光波导，适用于输入待处理的光信号；调制器，调制器包括调制器电极，调制器适用于接收光信号，并利用调制器电极发出的调制电信号对光信号的相位进行调制；波长转换器，被构造成通过周期极化薄膜铌酸锂层而形成的波导，通过对波长转换器施加电压，利用非线性效应将波长转换器的晶向周期性反转，以对调制后的光信号的波长进行转化；光电探测器，适用于接收波长转化后的光信号并转化为电信号。

公开(公告)号：CN116859523A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310882652.1

申请日：2023-07-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李智勇 ,  殷煜翔 ,  于航 ,  涂东河 ,  于治国 ,  关欢 ,  田立飞 ,  姜磊

IPC: G02B6/30 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明公开一种复合型光波导端面耦合器，包括：硅衬底(1)、埋氧层(2)、第一波导层、第二波导层和二氧化硅包层(3)；所述第一波导层包括条形过渡波导(5)和脊形波导(6)；所述条形过渡波导(5)生长在所述埋氧层(2)的中线上，依次包括第一过渡段(51)、第二过渡段(52)和第三过渡段(53)，所述第一过渡段(51)和所述第三过渡(53)段为倒锥形，所述第二过渡段(52)为矩形；所述脊形波导(6)包括平板波导和脊波导，所述平板波导和所述脊波导为倒锥形；所述二氧化硅包层(3)生长在所述埋氧层(2)和所述第一波导层上；所述第二波导层为氮化硅波导(4)，位于所述二氧化硅包层(3)中部，平行与所述埋氧层(2)的中线。