公开(公告)号：CN109686810A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811559379.4

申请日：2018-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 颜伟 ,  张博文 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  刘雯 ,  韩国威 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。

公开(公告)号：CN112670371A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011566704.7

申请日：2020-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 董慧 ,  颜伟 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。

公开(公告)号：CN112670371B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202011566704.7

申请日：2020-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 董慧 ,  颜伟 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。

公开(公告)号：CN111400848A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811616335.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 张博文 ,  颜伟 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: G06F30/20 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明公开了一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法，包括：构建一太赫兹波探测器模型；设置一束频率变化的平面太赫兹波，垂直入射到集成天线的太赫兹波探测器模型上；提取所述太赫兹波探测器模型的场效应晶体管的沟道中一位置的电场强度；计算所述天线在不同频率处产生的电场增强，得到电场增强随频率的变化关系；根据计算得出的所述变化关系获取所述天线的中心频率；根据所述天线的中心频率确定天线的结构以及尺寸。本发明不用提取场效应晶体管的栅源电极之间的输入阻抗，同时可以直观地与太赫兹波探测器响应度相关联，是一种直观有效的太赫兹天线设计方法。