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公开(公告)号：CN115224147B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110427659.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
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公开(公告)号：CN117276373A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311234737.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01S5/34 , H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构，包括n个叠加生长的InAs/GaAs1‑xSbx量子点层，其中，每个InAs/GaAs1‑xSbx量子点层包括：InAs量子点层；GaAs1‑xSbx梯度调制盖层，生长在InAs量子点层表面，用以调制InAs量子点的应力和光吸收，GaAs1‑xSbx梯度调制盖层中Sb的含量沿所述GaAs1‑xSbx梯度调制盖层在所述InAs量子点层上的生长方向线性递减；GaAs间隔层，生长在GaAs1‑xSbx梯度调制盖层表面，其中，n为大于等于1的整数。本发明提供的InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构有效缓解了InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构的应变积累并提高了光吸收系数，可以广泛应用于量子点激光器、量子点近红外探测器以及中间能带太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN115547824A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211323761.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3065 , H01J37/20 , B81C1/00
Abstract: 本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法，包括：在衬底上沉积硬掩模；在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻；将光刻后的衬底置于斜台上，再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀，以在所述衬底上制备高深宽比倾斜沟槽。该方法能够制备高深宽比的倾斜沟槽，并且能够实现倾斜沟槽角度精确控制。
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公开(公告)号：CN109626318B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811579463.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器，该盖板结构，用于微机电器件晶圆级封装，包括：密封盖板，其上设有一凹槽，该凹槽形成一容置空间；电极板，位于凹槽形成的容置空间之内，与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙；第一垂直通孔，设置于电极板之下，贯穿凹槽下方的密封盖板；第二垂直通孔，设置于密封盖板的非凹槽位置并贯穿密封盖板中的绝缘部分；以及第一电极引线和第二电极引线，分别沿着第一垂直通孔和第二垂直通孔引出至密封盖板的下表面。本发明的盖板结构及其制作方法、电容式传感器，具有与微机电器件制备工艺兼容、工艺简单、气密性好、具备垂直引线、不需要高温、降低寄生电容、以及广泛适用的综合性能。
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公开(公告)号：CN109626318A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811579463.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器，该盖板结构，用于微机电器件晶圆级封装，包括：密封盖板，其上设有一凹槽，该凹槽形成一容置空间；电极板，位于凹槽形成的容置空间之内，与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙；第一垂直通孔，设置于电极板之下，贯穿凹槽下方的密封盖板；第二垂直通孔，设置于密封盖板的非凹槽位置并贯穿密封盖板中的绝缘部分；以及第一电极引线和第二电极引线，分别沿着第一垂直通孔和第二垂直通孔引出至密封盖板的下表面。本发明的盖板结构及其制作方法、电容式传感器，具有与微机电器件制备工艺兼容、工艺简单、气密性好、具备垂直引线、不需要高温、降低寄生电容、以及广泛适用的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997029A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091632.2
申请日：2009-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/78
Abstract: 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
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公开(公告)号：CN111362225B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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公开(公告)号：CN116344664A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111591899.5
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III‑V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片；在第一预设温度下，对预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片；在III‑V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片；在第二预设温度下，对预退火键合晶片施加第二预设压力并保持第二预设时间段以进行退火，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。本发明提供的晶圆键合的欧姆接触电极退火方法实现了退火温度与晶圆键合的温度的适配，可以得到工艺稳定的键合晶片，以及接触电阻低的欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN115224147A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110427659.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109682364B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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