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公开(公告)号：CN118908145A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410955542.8
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al2O3薄膜，将抗蚀剂与抗蚀剂表面的Al2O3薄膜剥离，样品层的表面形成Al2O3掩膜，样品层未被Al2O3掩膜覆盖的部分用于微纳结构的刻蚀；根据Al2O3掩膜对样品层进行刻蚀，去除Al2O3掩膜，得到微纳结构。本公开利用Al2O3作为掩膜，能够制造高深宽比、高精度的微纳结构。
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公开(公告)号：CN109709069A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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公开(公告)号：CN109686810A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811559379.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。
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公开(公告)号：CN102157361B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010605875.6
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体材料与器件制造领域，具体涉及利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，其是在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层，然后涂覆抗蚀剂，利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图形，再用RIE刻蚀技术，将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀，形成沟槽，再利用光子束超衍射纳米加工技术，在光刻胶上曝光，显影，定影，形成栅头图形，蒸发栅极金属，在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。具有灵活性高，同时精度高、面积大、可重复、低成本和效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118676732A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310258668.5
申请日：2023-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供了一种激光器微腔，包括：金属基板；半导体纳米线，设置在金属基板上，被配置为接收来自激励源的激励光线，并基于激励光线产生激光；两个金属块，设置在金属基板上，并分别抵靠在半导体纳米线的两端，被配置为将来自半导体纳米线的激光反射回半导体纳米线。通过设置金属块可以提高激光器微腔的反射率，使激光在半导体纳米线内来回传输振荡并实现激射，进而可以降低电磁波能量的溢出量，增加半导体纳米线的存储能量，实现降低辐射损耗的目的。
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公开(公告)号：CN107978642B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201711346622.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种GaN基异质结二极管及其制备方法，该GaN基异质结二极管包括：依次生长在衬底上的GaN本征层和势垒层；在部分势垒层上形成部分凹槽区域，高空穴浓度结构层覆盖在凹槽上表面；阴极电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；阳极电极第一部分位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的另一部分区域，其位置紧挨着高空穴浓度结构层；阳极电极第二部分覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被阴极电极和阳极电极覆盖的区域。本发明可靠性高，重复性好，可实现对器件开启电压的调节，获得低开启电压、低反向漏电流的GaN异质结二极管。
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公开(公告)号：CN111400848A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811616335.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法，包括：构建一太赫兹波探测器模型；设置一束频率变化的平面太赫兹波，垂直入射到集成天线的太赫兹波探测器模型上；提取所述太赫兹波探测器模型的场效应晶体管的沟道中一位置的电场强度；计算所述天线在不同频率处产生的电场增强，得到电场增强随频率的变化关系；根据计算得出的所述变化关系获取所述天线的中心频率；根据所述天线的中心频率确定天线的结构以及尺寸。本发明不用提取场效应晶体管的栅源电极之间的输入阻抗，同时可以直观地与太赫兹波探测器响应度相关联，是一种直观有效的太赫兹天线设计方法。
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公开(公告)号：CN109682364A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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公开(公告)号：CN109709069B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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