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公开(公告)号：CN109781089B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201711107176.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本公开提供了一种基于法诺谐振效应的谐振式光学陀螺，包括：耦合器C1，用于将一激光束平分为第一、二激光束；第一、二部分反射单元，分别用于接收第一、二激光束；耦合器C4，用于接收第一及二方向激光束，其分别为第一激光束经第一部分反射单元、第二激光束经第二部分反射单元透射的光束；光学谐振腔，用于接收经耦合器C4输出的光束；耦合器C2、C3，分别用于接收耦合器C4输出的第二、一方向激光束；第一、二光电探测器，分别用于接收耦合器C2、C3输出的第二、一方向激光束，并分别转换为电信号；以及信号处理电路，用于进行求差运算处理，以确定光学陀螺的转动角速度。本公开简化了光学陀螺系统复杂度，提高了陀螺输出的线性度。
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公开(公告)号：CN111399117B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010369829.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III‑V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III‑V族波导，设置与III‑V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III‑V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。
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公开(公告)号：CN110186447B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910465860.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备，该谐振式陀螺仪光波导芯片包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。本发明提供的谐振式陀螺仪光波导芯片具有高灵敏度、高可集成度、响应速度快、对加速度不敏感和制备工艺简单的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109781089A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201711107176.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本公开提供了一种基于法诺谐振效应的谐振式光学陀螺，包括：耦合器C1，用于将一激光束平分为第一、二激光束；第一、二部分反射单元，分别用于接收第一、二激光束；耦合器C4，用于接收第一及二方向激光束，其分别为第一激光束经第一部分反射单元、第二激光束经第二部分反射单元透射的光束；光学谐振腔，用于接收经耦合器C4输出的光束；耦合器C2、C3，分别用于接收耦合器C4输出的第二、一方向激光束；第一、二光电探测器，分别用于接收耦合器C2、C3输出的第二、一方向激光束，并分别转换为电信号；以及信号处理电路，用于进行求差运算处理，以确定光学陀螺的转动角速度。本公开简化了光学陀螺系统复杂度，提高了陀螺输出的线性度。
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公开(公告)号：CN109709069A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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公开(公告)号：CN109709069B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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公开(公告)号：CN111399117A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010369829.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III-V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III-V族波导，设置与III-V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III-V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。
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公开(公告)号：CN110186447A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910465860.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备，该谐振式陀螺仪光波导芯片包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。本发明提供的谐振式陀螺仪光波导芯片具有高灵敏度、高可集成度、响应速度快、对加速度不敏感和制备工艺简单的效果。
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