公开(公告)号：CN116487992A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310511939.3

申请日：2023-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 彭轩然 ,  刘晶 ,  康亚茹 ,  李兆峰 ,  颜伟 ,  刘孔 ,  王晓晖 ,  毛旭 ,  杨富华

IPC: H01S5/10

Abstract: 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭球的一部分；其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的多个金属椭球的两端无法传播，在一维阵列形式排布的多个金属椭球的中间振荡。该表面等离激元激光器能够实现选模，具有低损耗，高品质因子等综合性能。

公开(公告)号：CN118676732A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310258668.5

申请日：2023-03-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘晶 ,  康亚茹 ,  彭轩然 ,  李兆峰 ,  颜伟 ,  刘孔 ,  王晓晖 ,  毛旭 ,  杨富华

IPC: H01S5/10

Abstract: 本公开提供了一种激光器微腔，包括：金属基板；半导体纳米线，设置在金属基板上，被配置为接收来自激励源的激励光线，并基于激励光线产生激光；两个金属块，设置在金属基板上，并分别抵靠在半导体纳米线的两端，被配置为将来自半导体纳米线的激光反射回半导体纳米线。通过设置金属块可以提高激光器微腔的反射率，使激光在半导体纳米线内来回传输振荡并实现激射，进而可以降低电磁波能量的溢出量，增加半导体纳米线的存储能量，实现降低辐射损耗的目的。

公开(公告)号：CN118908145A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410955542.8

申请日：2024-07-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 靳晨阳 ,  颜伟 ,  康亚茹 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al2O3薄膜，将抗蚀剂与抗蚀剂表面的Al2O3薄膜剥离，样品层的表面形成Al2O3掩膜，样品层未被Al2O3掩膜覆盖的部分用于微纳结构的刻蚀；根据Al2O3掩膜对样品层进行刻蚀，去除Al2O3掩膜，得到微纳结构。本公开利用Al2O3作为掩膜，能够制造高深宽比、高精度的微纳结构。

公开(公告)号：CN116454729A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310511801.3

申请日：2023-05-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘晶 ,  康亚茹 ,  彭轩然 ,  李兆峰 ,  颜伟 ,  刘孔 ,  王晓晖 ,  毛旭 ,  杨富华

IPC: H01S5/10

Abstract: 本公开提供一种一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔，包括：金属基板，为单晶金属制成；多个介质块，设置于所述金属基板表面，所述多个介质块高度相同且沿直线排列构成纳米颗粒链结构；通过改变所述多个介质块的设置参数以提高增益。