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公开(公告)号：CN115343503A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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公开(公告)号：CN112420603A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011316880.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法，包括：S1，在SOI晶圆的顶硅层(1)制作欧姆接触区(7)；S2，采用刻蚀出凹槽的玻璃片(8)与顶硅层(1)阳极键合；S3，将欧姆接触区(7)作为刻蚀阻挡层，并在SOI晶圆的背硅层(2)上刻蚀通孔；S4，在通孔内壁溅射二氧化硅层(5)；S5，采用皮秒或飞秒激光刻蚀通孔底部的二氧化硅；S6，在二氧化硅层(5)内壁溅射金属种子层(3)；S7，在金属种子层(3)内壁电镀金属填料层(4)；S8，减薄抛光背硅层(2)，得到MEMS传感器垂直电学互连结构。本发明的制备方法能够节省芯片布局布线的面积，在降低功耗的同时增大了信号的传输频率，提高了芯片的性能。
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公开(公告)号：CN109682364A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811529259.X
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。
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公开(公告)号：CN104445051A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410720797.2
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。本发明是在同种衬底材料上制备多级台阶，避免了异质多级台阶中的粘附性问题和高台阶难以制备的问题，同时也大大降低了工艺流程的复杂性。
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公开(公告)号：CN101984557A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010534603.1
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/24
Abstract: 一种基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块，包括：一差分信号产生电路；一MEMS滤波器芯片的第一输入端a与差分信号产生电路的输出端连接；一电压转换电路的输出端与该MEMS滤波器芯片的第二输入端b连接；一互阻放大电路的输入端与MEMS滤波器芯片的输出端b连接；一频率漂移检测电路的输入端与互阻放大电路的输出端连接；一频率稳定电路的输入端与频率漂移检测电路的输出端连接，该频率稳定电路输出端与MEMS滤波器芯片的第三输入端c连接，当互阻放大电路的输出信号的频率发生漂移时，提供相应的直流电压信号给滤波器芯片，使滤波器模块的输出信号的频率保持稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116770221A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210727515.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中关村芯海择优科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种掩膜结构及制备方法、在凹槽内进行结构图形化的方法，其中，该掩膜结构包括：衬底层；第一镂空区，第一镂空区位于衬底层上；掩膜层，掩膜层位于衬底层的上方，掩膜层中包含第二镂空区，且第二镂空区位于第一镂空区的上方。
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公开(公告)号：CN109686810A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811559379.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。
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公开(公告)号：CN107688348A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710683066.9
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法，利用加速度计和磁强计对姿态角估计值修正，因而传感器误差影响小；利用无线传输模块，与智能设备通过无线信号进行连接，无线控制的特点使本发明方便、灵活、在有限距离内都可使用；利用控制模式的切换键选择2D图形界面或3D图形界面的指向控制工作模式，使无线人机交互设备适合不同图形界面的操作系统；通过控制模式的开关键，当光标移至屏幕边界、无法流畅控制或不需要控制时，强制将光标的位移变换为零，方便使用者调整操作姿势。
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公开(公告)号：CN104482930A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410734012.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01C19/5656
CPC classification number: G01C19/5656
Abstract: 一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN102594290A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052015.3
申请日：2012-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接，形成闭合回路。本发明提供的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，其可降低相位噪声，具有功耗低及设计成本低的优点。
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