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公开(公告)号：CN113960628A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111258854.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01S17/894
Abstract: 本公开提供一种太赫兹波TOF三维成像系统，包括：太赫兹像素阵列(A)，用于接收太赫兹波调幅信号并输出解调后的第一模拟信号；信号读出模块(B)，用于对第一模拟信号进行积分放大，得到积分信号，并将积分信号转换为数字信号；控制模块(C)，用于给信号读出模块(B)提供读出参数配置以及控制太赫兹像素阵列(A)的行选时间以实现不同的成像帧率；信号处理模块(D)，用于将数字信号恢复成第二模拟信号，根据第二模拟信号计算飞行时间与深度信息来成像；其中，第一模拟信号与太赫兹波调幅信号具有相位偏移。本公开的三维成像系统能够制作于同一块CMOS芯片上，设计原理简单，精度高，成本低廉，且易于大规模集成。
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公开(公告)号：CN111474703A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071616.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G02B26/02
Abstract: 本发明公开了一种可适用于高能激光的连续衰光装置，此装置主要包括一个介质膜透镜、一个偏折补偿透镜和一个热沉；其中，介质膜透镜和偏折补偿透镜均能够围绕各自中心轴旋转，它们的旋转角度相同，但方向相反；热沉能够围绕介质膜透镜的中心轴旋转，旋转角度是介质膜透镜的两倍，旋转方向与介质膜透镜的相同。本发明可以在不改变入射激光传播方向和光强在空间中的相对分布的前提下，对高能激光的功率进行连续衰减。
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公开(公告)号：CN109659220A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710939614.X
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019
Abstract: 本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳化硅高深宽比深槽孔结构的加工难题，实现了无掩膜的刻蚀，工艺简单，提高了制备效率，可选择性的重复激光辐照与干法刻蚀步骤，由此满足了对碳化硅沟槽深度的更高需求。
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公开(公告)号：CN105529246B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN106312300A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610860612.7
申请日：2016-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B23K26/00
CPC classification number: B23K26/00 , B23K2103/10
Abstract: 本发明公开了一种激光对铝化物基板金属化的方法及相应的铝化物基板。激光通过以二元光学为基础的光学整型元件对相位调制，得到平顶光，平顶光再通过振镜场镜系统聚焦照射到铝化物基板上。激光产生的超高温将铝化物分解出金属铝，从而获得铝化物表面特定形状、尺寸及分布的铝导线。然后用电镀或者化学镀的方式对导电的铝表面金属化。没有经过激光处理的区域没有金属化，通过用电脑控制振镜扫描方式直接在铝化物基板上实现铝导线，进而实现金属电极的图形化。相比于传统铝化物基板金属化，本发明工艺更加简单、成本更低而且可以直接实现金属电极图形化，且光学整型元件的使用使得激光能量分布均匀，得到的金属厚度也比较均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113551770A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110840932.7
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J1/42
Abstract: 本公开提供了一种太赫兹波幅相读出装置，该装置包括：探测器，用于探测太赫兹波调制光信号；读出模块，和探测器相连接，读出模块用于读出太赫兹波调制光信号；读出模块包括至少一个放大单元，至少一个放大单元之间采用级联的形式连接，以使读出模块满足读出太赫兹波调制光信号的带宽需求。本公开提供的太赫兹波幅相读出装置中的读出模块的输入阻抗很小，而且不受输入信号的影响，在一定程度上能抑制噪声，灵敏度高，能够将高频、宽带信号有效读出，同时能够有效放大微弱的太赫兹波调制光信号，设计原理简单，成本低廉，且易大规模集成。
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公开(公告)号：CN113359329A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110611221.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院沈阳自动化研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹开关及太赫兹波光信号控制方法，太赫兹开关包括：MOS器件单元(003)和偏置电压(004)；其中，偏置电压(004)用于调节MOS器件单元(003)的电位，使MOS器件单元(003)中产生反型层(0038)，反型层(0038)用于阻断太赫兹波光信号在MOS器件单元(003)中的传播。本发明的太赫兹开关通过调节偏置电压的大小，可以在MOS器件单元中产生阻断太赫兹波的反型层，进而控制太赫兹波在MOS器件单元中的传播。
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公开(公告)号：CN113359206A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110611222.7
申请日：2021-06-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01V8/10
Abstract: 本发明提供一种太赫兹开关阵列成像装置及成像方法，装置包括：太赫兹开关阵列(00)，太赫兹开关阵列(00)由集成在同一CMOS硅片上的至少两个太赫兹开关(0)构成；其中，太赫兹开关(0)包括：依次叠加的半导体衬底(3)，氧化物隔离层(4)和多晶硅栅极(5)；其中，多晶硅栅极(5)的电位大于电位阈值，在半导体衬底(3)中产生反型层(10)，反型层(10)用于阻断太赫兹波光信号在太赫兹开关(0)中的传播；多晶硅栅极(5)的电位可调，用于在至少两个太赫兹开关(0)中形成不同强度的太赫兹波光信号来成像。本发明的成像装置可以控制太赫兹波在各太赫兹开关中的传播，同时得到不同强度的光信号，实现成像。
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公开(公告)号：CN111477689A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071617.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高雪崩耐量碳化硅JBS结构及制备方法，结构主要包括阴极电极，N+型衬底，N-型外延层，P型注入区和阳极电极，其中P型注入区分两类，一类为条状注入区，另一类为锥状注入区。两类P型注入是通过在掩膜层上进行两次光刻刻蚀出深浅不同的沟槽实现的，引入锥状P型注入区可以明显提高碳化硅JBS的雪崩耐量。
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公开(公告)号：CN105529246A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66053
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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