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公开(公告)号：CN116487992A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310511939.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭球的一部分；其中，特定频率的电磁波在一维阵列形式排布的多个金属椭球的两端无法传播，在一维阵列形式排布的多个金属椭球的中间振荡。该表面等离激元激光器能够实现选模，具有低损耗，高品质因子等综合性能。
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公开(公告)号：CN112670371A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011566704.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。
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公开(公告)号：CN112670371B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202011566704.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。
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公开(公告)号：CN114069383A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111373233.2
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 本公开提供一种等离激元激光器微腔，包括：金属基板，其上设置有多个凹槽；以及半导体纳米线，对应所述多个凹槽上方设置于所述金属基板表面。同时还提供一种等离激元激光器微腔的制备方法，用于制备上述等离激元激光器微腔，包括：操作S1：以云母为基底在其上生长金属基板；操作S2：在所述金属基板上刻蚀多个凹槽；以及操作S3：对应所述多个凹槽上方在所述金属基板表面制备半导体纳米线。
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公开(公告)号：CN109781089B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201711107176.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本公开提供了一种基于法诺谐振效应的谐振式光学陀螺，包括：耦合器C1，用于将一激光束平分为第一、二激光束；第一、二部分反射单元，分别用于接收第一、二激光束；耦合器C4，用于接收第一及二方向激光束，其分别为第一激光束经第一部分反射单元、第二激光束经第二部分反射单元透射的光束；光学谐振腔，用于接收经耦合器C4输出的光束；耦合器C2、C3，分别用于接收耦合器C4输出的第二、一方向激光束；第一、二光电探测器，分别用于接收耦合器C2、C3输出的第二、一方向激光束，并分别转换为电信号；以及信号处理电路，用于进行求差运算处理，以确定光学陀螺的转动角速度。本公开简化了光学陀螺系统复杂度，提高了陀螺输出的线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111399117B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010369829.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III‑V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III‑V族波导，设置与III‑V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III‑V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。
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公开(公告)号：CN109709069B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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公开(公告)号：CN109920713B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910179100.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其中：离子源电离产生的离子由离子引出组件导出，经单离子束结构形成微束，然后通过离子阱选定待注入离子并进行逐个释放，形成单离子束；单离子束通过纳米孔光阑后注入样品，根据单离子探测器对离子数量的检测来控制束线挡板；样品台上固定带特征定位标记的样品，对样品台进行移动时，成像单元对特征定位标记进行成像定位，而使纳米孔光阑对准待注入位置，实现注入离子数量和位置的精确控制。
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公开(公告)号：CN111399117A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010369829.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III-V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III-V族波导，设置与III-V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III-V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。
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公开(公告)号：CN110186447A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910465860.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备，该谐振式陀螺仪光波导芯片包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。本发明提供的谐振式陀螺仪光波导芯片具有高灵敏度、高可集成度、响应速度快、对加速度不敏感和制备工艺简单的效果。
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