公开(公告)号：CN115504429A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110634921.3

申请日：2021-06-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  宋培帅 ,  张明亮 ,  司朝伟 ,  何昱蓉 ,  魏江涛 ,  杨亮亮 ,  杨富华

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01L1/22 ,  G01L9/04

Abstract: 本发明提供一种压力传感器制备方法，包括：采用阳极键合工艺将带有凹槽的第一玻璃片(7)和SOI背硅层(4)的一面键合，将SOI埋氧层(3)，压敏电阻(5)，金属电极(6)和欧姆接触区(10)密封在凹槽中；采用化学机械抛光工艺减薄SOI背硅层(4)的另一面；刻蚀减薄后的SOI背硅层(4)的另一面得到感压膜(8)；采用阳极键合工艺将第二玻璃片(9)和SOI背硅层(4)的另一面键合；减薄第二玻璃片(9)，去除第一玻璃片(7)并划片得到压力传感器。本方法通过上下两层玻璃夹持，大大提高了压力传感器制备的成品率。

公开(公告)号：CN113363375A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010144775.1

申请日：2020-03-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  马哲 ,  张明亮 ,  魏江涛 ,  杨亮亮 ,  杨富华

IPC: H01L35/34 ,  B81C1/00

Abstract: 一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法，包括：S1，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀出热电转换结构(100)，热电转换结构(100)包括一连接部以及连接于连接部两端的两端部；S2，在步骤S1所得结构的上表面生长氮化硅膜(102)；S3，刻蚀氮化硅膜(102)以形成支撑臂和支撑岛；S4，在支撑岛上沉积第一金属(103)，并刻蚀第一金属(103)以形成金属图形；S5，在支撑臂上沉积第二金属(104)，通过退火工艺使得第二金属(104)与顶层硅形成欧姆接触；S6，在热电转换结构(100)的连接部制备声子晶体；S7，在步骤S6所得结构的上表面和SOI衬底的下表面生长掩膜层；S8，刻蚀下表面至SOI衬底的埋氧层(101)；S9，去除埋氧层(101)；S10，去除上表面掩膜层。

公开(公告)号：CN115367693B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202110542788.9

申请日：2021-05-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  宋培帅 ,  司朝伟 ,  何昱蓉 ,  魏江涛 ,  杨亮亮 ,  杨富华

IPC: B81C1/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。

公开(公告)号：CN115367693A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202110542788.9

申请日：2021-05-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  宋培帅 ,  司朝伟 ,  何昱蓉 ,  魏江涛 ,  杨亮亮 ,  杨富华

IPC: B81C1/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。