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公开(公告)号：CN112420604B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011316969.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法，包括：S1，在高阻硅晶圆(1)上刻蚀通孔；S2，热氧处理高阻硅晶圆(1)，以制备出隔离层(2)；S3，刻蚀低阻硅晶圆(3)，制备可动结构区(4)和欧姆接触区(5)；S4，热压键合高阻硅晶圆(1)和低阻硅晶圆(3)，使欧姆接触区(5)位于通孔上方；S5，在通孔内壁溅射金属种子层(6)；S6，在金属种子层(6)内壁电镀金属填料层(7)；S7，减薄抛光高阻硅晶圆(1)背面，得到TSV垂直电学互连器件。本发明的制备方法能够避免引线键合中长布线带来的尺寸限制和信号延迟等问题，减小电容/电感，实现芯片间的低功耗，在高频和大带宽电路中表现出优异的电学性能。
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公开(公告)号：CN115367693B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110542788.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。
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公开(公告)号：CN115367693A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110542788.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。
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公开(公告)号：CN115343503A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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公开(公告)号：CN112420603A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011316880.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法，包括：S1，在SOI晶圆的顶硅层(1)制作欧姆接触区(7)；S2，采用刻蚀出凹槽的玻璃片(8)与顶硅层(1)阳极键合；S3，将欧姆接触区(7)作为刻蚀阻挡层，并在SOI晶圆的背硅层(2)上刻蚀通孔；S4，在通孔内壁溅射二氧化硅层(5)；S5，采用皮秒或飞秒激光刻蚀通孔底部的二氧化硅；S6，在二氧化硅层(5)内壁溅射金属种子层(3)；S7，在金属种子层(3)内壁电镀金属填料层(4)；S8，减薄抛光背硅层(2)，得到MEMS传感器垂直电学互连结构。本发明的制备方法能够节省芯片布局布线的面积，在降低功耗的同时增大了信号的传输频率，提高了芯片的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115343503B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110531763.9
申请日：2021-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供一种跷跷板加速度计及其制备方法，制备方法包括：采用阳极键合工艺，将硅‑玻璃复合盖板与第四低阻硅晶圆的第一凹槽所在面进行键合，得到第二键合片；以图形化的ITO为掩膜或以图形化的ITO和光刻胶为掩膜，对应固定电容极板的位置，在减薄后的第四低阻硅晶圆所在面刻蚀出“凸”字形的质量块，得到包含结构层的第三键合片，其中，质量块包括大小不同的第一电容极板和第二电容极板。本发明的跷跷板加速度计制备方法通过一次刻蚀得到质量块，工艺简便高效，精度高。采用硅‑玻璃复合盖板，同时包括垂直引线与固定极板，并采用阳极键合工艺实现密封封装，有效提高器件密封性能，减小芯片横向面积，有利于提高器件微型化。
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公开(公告)号：CN111362225B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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公开(公告)号：CN115504429A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110634921.3
申请日：2021-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种压力传感器制备方法，包括：采用阳极键合工艺将带有凹槽的第一玻璃片(7)和SOI背硅层(4)的一面键合，将SOI埋氧层(3)，压敏电阻(5)，金属电极(6)和欧姆接触区(10)密封在凹槽中；采用化学机械抛光工艺减薄SOI背硅层(4)的另一面；刻蚀减薄后的SOI背硅层(4)的另一面得到感压膜(8)；采用阳极键合工艺将第二玻璃片(9)和SOI背硅层(4)的另一面键合；减薄第二玻璃片(9)，去除第一玻璃片(7)并划片得到压力传感器。本方法通过上下两层玻璃夹持，大大提高了压力传感器制备的成品率。
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公开(公告)号：CN112420604A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011316969.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法，包括：S1，在高阻硅晶圆(1)上刻蚀通孔；S2，热氧处理高阻硅晶圆(1)，以制备出隔离层(2)；S3，刻蚀低阻硅晶圆(3)，制备可动结构区(4)和欧姆接触区(5)；S4，热压键合高阻硅晶圆(1)和低阻硅晶圆(3)，使欧姆接触区(5)位于通孔上方；S5，在通孔内壁溅射金属种子层(6)；S6，在金属种子层(6)内壁电镀金属填料层(7)；S7，减薄抛光高阻硅晶圆(1)背面，得到TSV垂直电学互连器件。本发明的制备方法能够避免引线键合中长布线带来的尺寸限制和信号延迟等问题，减小电容/电感，实现芯片间的低功耗，在高频和大带宽电路中表现出优异的电学性能。
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公开(公告)号：CN111362225A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010189070.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种纳米针尖结构、复合结构及其制备方法，所述纳米针尖结构，包括衬底，在所述衬底表面阵列形成多个纳米针尖；其中，每个纳米针尖的顶部直径为10～20nm；所述纳米针尖的高度为200～350nm；相邻纳米针尖的间距为62.5～125nm，显著增加“热点”效应。所述纳米针尖结构的制备方法采用阳极氧化铝(AAO)模板和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀，成本低廉，工艺简单，可以实现大规模制备。在此基础上制备的Ag颗粒/纳米针尖复合结构能够显著增加表面等离子体效应如光吸收、拉曼信号增强等。
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