公开(公告)号：CN111477689A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910071617.5

申请日：2019-01-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘敏 ,  武婧敏 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种高雪崩耐量碳化硅JBS结构及制备方法，结构主要包括阴极电极，N+型衬底，N-型外延层，P型注入区和阳极电极，其中P型注入区分两类，一类为条状注入区，另一类为锥状注入区。两类P型注入是通过在掩膜层上进行两次光刻刻蚀出深浅不同的沟槽实现的，引入锥状P型注入区可以明显提高碳化硅JBS的雪崩耐量。

公开(公告)号：CN116936324A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210328583.5

申请日：2022-03-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 武婧敏 ,  郭志煜 ,  王风旋 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。

公开(公告)号：CN111474703A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910071616.0

申请日：2019-01-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 刘敏 ,  武婧敏 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: G02B26/02

Abstract: 本发明公开了一种可适用于高能激光的连续衰光装置，此装置主要包括一个介质膜透镜、一个偏折补偿透镜和一个热沉；其中，介质膜透镜和偏折补偿透镜均能够围绕各自中心轴旋转，它们的旋转角度相同，但方向相反；热沉能够围绕介质膜透镜的中心轴旋转，旋转角度是介质膜透镜的两倍，旋转方向与介质膜透镜的相同。本发明可以在不改变入射激光传播方向和光强在空间中的相对分布的前提下，对高能激光的功率进行连续衰减。