AlGaInP基发光二极管
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101114682A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200610088943.X

    申请日:2006-07-27

    Abstract: 一种AlGaInP基发光二极管,其特征在于,包括:一反射器;一n型下限制层,该n型下限制层制作在反射器之上,提供载流子限制作用;一有源层,该有源层生长在n型下限制层之上;一p型上限制层,该p型上限制层制作在有源层之上,提供载流子限制作压;一窗口层,该窗口层键合在p型上限制层之上,以促进电流扩展和提高光提取率;一p型金属电极,该p型金属电极与GaP窗口层形成良好的欧姆接触;一n型金属电极,该n型金属电极制作在反射器的下面。

    LED照明的LCD背光源结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101086577A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200610012128.5

    申请日:2006-06-07

    Abstract: 本发明一种LED照明的LCD背光源结构,包括:一支架,该支架是一个底面连着散热板的顶端具开口的盒体,盒体内侧壁和内底面均为反射面;一二维排布的单色LED阵列,该单色LED阵列制作在支架上,排布在支架内底面上;一扩散板,该扩散板制作在二维排布的单色LED阵列上方;一光学膜组,该光学膜组是棱镜膜和扩散膜的组合,该光学膜组制作在扩散板上;以及一荧光粉薄层,该荧光粉薄层制作在光学膜组 上。

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