公开(公告)号：CN101286539A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710065319.2

申请日：2007-04-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王立彬 ,  伊晓燕 ,  刘志强 ,  陈宇 ,  郭德博 ,  王良臣

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－GaN层的中间部位；一Ag/Pt/Au层制作在Ru/Ni层上；一N－GaN金属电极制作在N－GaN层一侧形成的台阶上；一SiO2钝化层制作在P－GaN层上面暴露的部分，及P－GaN层、有源层的侧面和N－GaN层一侧的台阶部分的表面，以上结构形成基片；一硅层，在硅层上面的两侧制作有Ni/Ag层，形成硅支撑体；该基片倒置与上述硅支撑体压焊，形成氮化镓基小芯片LED阵列结构。

公开(公告)号：CN101114682A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610088943.X

申请日：2006-07-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭德博 ,  王国宏 ,  梁萌 ,  范曼宁

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种AlGaInP基发光二极管，其特征在于，包括：一反射器；一n型下限制层，该n型下限制层制作在反射器之上，提供载流子限制作用；一有源层，该有源层生长在n型下限制层之上；一p型上限制层，该p型上限制层制作在有源层之上，提供载流子限制作压；一窗口层，该窗口层键合在p型上限制层之上，以促进电流扩展和提高光提取率；一p型金属电极，该p型金属电极与GaP窗口层形成良好的欧姆接触；一n型金属电极，该n型金属电极制作在反射器的下面。

公开(公告)号：CN101561587A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810104242.X

申请日：2008-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 梁萌 ,  王国宏 ,  范曼宁 ,  郭德博

IPC: G02F1/13357 ,  F21V5/04

Abstract: 本发明是一种可用于直下式LCD背光源的LED的透镜。所述透镜是一个由透明材料制成的轴对称实体，包含：一个底面，该底面为光入射面；一个侧面，该侧面为光折射界面；一个上曲面，该曲面为光折射界面；一个中心曲面，该曲面为光折射界面。该透镜放置于LED上，使进入里面的光线的传播方向发生改变，获得良好的光强分布，实现对液晶屏的均匀照明。

公开(公告)号：CN101086577A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610012128.5

申请日：2006-06-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 梁萌 ,  王国宏 ,  范曼宁 ,  郭德博

IPC: G02F1/13357 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明一种LED照明的LCD背光源结构，包括：一支架，该支架是一个底面连着散热板的顶端具开口的盒体，盒体内侧壁和内底面均为反射面；一二维排布的单色LED阵列，该单色LED阵列制作在支架上，排布在支架内底面上；一扩散板，该扩散板制作在二维排布的单色LED阵列上方；一光学膜组，该光学膜组是棱镜膜和扩散膜的组合，该光学膜组制作在扩散板上；以及一荧光粉薄层，该荧光粉薄层制作在光学膜组 上。