公开(公告)号：CN111697115A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910201508.0

申请日：2019-03-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  王蕴玉 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  王兵 ,  任芳 ,  尹越 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相沉积技术在石墨烯上进行氮化物纳米结构生长，通过改变压强、温度、反应物浓度等参数获得分布均匀、取向一致的纳米结构材料；在氮化物纳米结构的基础上进行薄膜生长，通过改变压强、温度、反应物浓度等参数使得反应物横向合并生长，形成连续的氮化物薄膜；进行器件结构设计及工艺制备。本发明提出的非晶衬底的氮化物结构及其制备方法，能够在非晶衬底上制备出氮化物光电子器件，降低生产成本，拓展其应用范围。

公开(公告)号：CN115881864A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111153828.7

申请日：2021-09-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 尹越 ,  林学春 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种氮化物薄膜结构，包括：石英衬底(1)；二硫化钨缓冲层(2)，与石英衬底(1)通过范德华力相互结合；氮化物薄膜层(3)，设置于二硫化钨缓冲层(2)上；以及器件结构层(4)，设置于氮化物薄膜层(3)上。采用与氮化物材料晶格十分匹配的极性材料二硫化钨作为缓冲层，促进氮化物外延层的合并，并对其取向进行诱导。

公开(公告)号：CN111326610A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811539285.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  任芳 ,  张硕 ,  尹越 ,  王蕴玉 ,  梁萌 ,  伊晓燕 ,  袁国栋 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n-GaN层、多量子阱发光层和p-GaN层；SOG填充物，填充在所述纳米柱LED的间隔及周围部分，用于隔离纳米柱LED，避免短路；氧化铟锡透明导电层，连接所述纳米柱LED的p-GaN层及所述SOG填充物，实现电流扩展；以及p/n电极，实现绝缘衬底上纳米柱LED芯片制备。本发明借助石墨烯缓冲层，在绝缘衬底上通过光刻工艺，在纳米柱生长之前覆盖n电极区域，生长之后暴露出n电极区域的石墨烯层以做n电极的电流扩展层，实现绝缘衬底上纳米柱n电极的引出。