公开(公告)号：CN115498073A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202110674980.3

申请日：2021-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  宋武睿 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  张逸韵 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本公开提供一种氮化物发光器件制备方法，包括：在衬底上制备底层的底层DBR层；在所述底层DBR层上覆盖单层或多层的二维材料薄膜，形成二维材料缓冲层；在所述二维材料缓冲层上依次生长低温GaN成核层和GaN buffer层；在所述GaN buffer层上外延RCLED主体结构，所述RCLED主体结构在所述GaN buffer层上由下至上依次包括：n‑GaN层、多量子阱发光层及p‑GaN层；在所述顶层DBR层两侧的所述金属氧化物透明导电层上设置有p电极，在所述台阶区域上设置有n电极；在所述氮化物发光器件表面沉积绝缘层，并光刻腐蚀去除部分所述绝缘层且暴露出所述出光口、p电极及n电极，完成氮化物发光器件的制备。

公开(公告)号：CN115000810A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202110232688.6

申请日：2021-03-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  宋武睿 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：将连接层转移至第一衬底上或在第一衬底上制备连接层，其中，连接层为至少一层且每层为具有单原子或单分子厚度的层状二维材料，连接层的层间原子间通过范德华力结合，和/或连接层与第一衬底的原子间通过范德华力结合。在连接层上外延激光器主体部分，连接层与激光器主体部分的原子间通过范德华力结合。对连接层进行机械剥离，将承载有激光器主体部分的连接层转移到覆盖有第一反射镜的第二衬底上。通过增加连接层，使得激光器主体部分容易从第一衬底上机械剥离开，相对于传统的激光剥离，简化工艺流程，降低了激光器件的生产成本，同时更易于转移，拓展氮化物光电器件的应用。

公开(公告)号：CN115498074A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202110682878.8

申请日：2021-06-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 伊晓燕 ,  宋武睿 ,  刘志强 ,  梁萌 ,  张逸韵 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/02

Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延非掺GaN层；在非掺GaN层上制备介质DBR；在介质DBR上覆盖石墨烯层；刻蚀石墨烯层和介质DBR使所非掺GaN层裸露，形成图形化的底层介质DBR；在非掺杂GaN层的裸露区域和底层介质DBR上外延形成GaN合并层；在GaN合并层上形成外延主体层；在外延主体层上形成导电层；在导电层上制备图形化的顶层介质DBR，得到所述垂直发射发光器。本公开提供的基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器的制备工艺简单，大幅降低器件的生产成本。